[发明专利]用于多电子束系统的微像差补偿器阵列有效

专利信息
申请号: 202180012116.5 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN115053318B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 姜辛容;C·西尔斯 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01J37/153 分类号: H01J37/153;H01J37/06;H01J37/10;H01J37/28
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子束 系统 微像差 补偿 阵列
【说明书】:

发明公开一种系统。在实施例中,所述系统包含电子源及微透镜阵列(MLA),所述MLA经配置以接收来自所述电子源的一或多个一次电子束且将所述一或多个一次电子束分割成多个一次细电子束。在实施例中,所述系统进一步包含微像差补偿器阵列(MSA),其包含多个十二极静电像差补偿器,其中所述MSA经配置以消除所述多个一次细电子束的四阶聚焦像差或六阶聚焦像差中的至少一者。在实施例中,所述系统进一步包含投影光学器件,其经配置以接收所述多个一次细电子束且将所述多个一次细电子束聚焦到样本的表面上。

技术领域

本发明大体上涉及一种电子束系统,且更特定来说,本发明涉及一种用于多电子束系统的微像差补偿器阵列(MSA)。

背景技术

电子束检验系统通常利用微透镜阵列(MLA)来将一次电子束分割成多个一次细电子束。归因于多电子束系统的大视域(FOV)及每一微透镜的机械公差,每一细电子束内的像散是不可避免的。较大FOV导致较大像散像差。必须校正及/或消除这些聚焦像差(例如四阶聚焦像差、六阶聚焦像差)以实现高效检验性能。微像差补偿器阵列(MSA)是已并入MLA内以校正及/或移除多电子束系统内的像散像差的技术。常规多电子束系统已利用四极静电像差补偿器来消除每一细电子束内的像差。然而,常规四极静电像差补偿器无法完全消除四阶及/或六阶聚焦像差,从而产生强八极(四阶)及十二极(六阶)静电场。因此,期望提供一种消除上文所识别的先前方法的一或多个不足的系统及方法。

发明内容

本发明公开一种系统。在实施例中,所述系统包含电子源及微透镜阵列(MLA),所述MLA经配置以接收来自所述电子源的一或多个一次电子束且将所述一或多个一次电子束分割成多个一次细电子束。在实施例中,所述系统进一步包含微像差补偿器阵列(MSA),其包含多个十二极静电像差补偿器,其中所述MSA经配置以消除所述多个一次细电子束的四阶聚焦像差或六阶聚焦像差中的至少一者。在实施例中,所述系统进一步包含投影光学器件,其经配置以接收所述多个一次细电子束且将所述多个一次细电子束聚焦到样本的表面上。

本发明公开一种微像差补偿器阵列(MSA)。在实施例中,所述MSA包含绝缘体衬底及安置于所述绝缘体衬底上的多个静电像差补偿器。所述多个静电像差补偿器可经配置以接收多个一次细电子束且消除所述多个一次细电子束的四阶聚焦像差或六阶聚焦像差中的至少一者。在实施例中,所述MSA进一步包含安置于所述绝缘体衬底上的多个电压连接线,其经配置以经由多个连接针将所述多个静电像差补偿器电耦合到一或多个电压源,其中所述一或多个电压源经配置以将一或多个聚焦电压施加到所述多个静电像差补偿器的每一静电像差补偿器。

本发明公开一种十二极静电像差补偿器。在实施例中,所述十二极静电像差补偿器包含围绕半径R布置的十二个导电板,所述十二个导电板包括第一导电板、第二导电板、第三导电板、第四导电板、第五导电板、第六导电板、第七导电板,第八导电板、第九导电板、第十导电板、第十一导电板及第十二导电板。在实施例中,将第一聚焦电压施加于所述第一导电板、所述第三导电板、所述第五导电板、所述第七导电板、所述第九导电板及所述第十一导电板以消除一次细电子束的四阶聚焦像差或六阶聚焦像差中的至少一者。

应了解,以上一般描述及以下详细描述两者仅供例示及说明且未必限制本发明。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本发明的实施例且与一般描述一起用于解释本发明的原理。

附图说明

所属领域的技术人员可通过参考附图来更好理解本公开的许多优点,其中:

图1说明双极性四极静电像差补偿器。

图2说明单极性四极静电像差补偿器。

图3说明根据本公开的一或多个实施例的多电子束设备。

图4说明根据本公开的一或多个实施例的微像差补偿器阵列(MSA)的十二极静电像差补偿器。

图5描绘说明根据本公开的一或多个实施例的六阶聚焦像差上的十二极静电像差补偿器的板角(α)的关系的曲线图。

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