[发明专利]多步骤过程检查方法

说明书

一种用于标识由多步骤过程形成的特征的阵列的一部分的图像中的特征的图像分析方法，该方法包括：分析图像中可见的特征的变化；以及至少部分基于分析的结果，将图像的特征与多步骤过程的步骤相关联。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月10日提交的EP申请20156290.7的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及检查方法，具体涉及用于使用光刻装置制造器件的检查方法。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在该实例中，图案形成装置(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成要在IC的单独层上形成的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或多个管芯)上。通常，图案经由成像到设在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来转移。一般而言，单个衬底将包含经过被连续图案化的相邻目标部分的网络。

为了满足光刻技术中对减小可以形成(可以缩小)的特征尺寸的持续需求，已经提出了各种过程，这些过程包括多个步骤，多个步骤用于产生尺寸或节距比可以在单个光学图案形成步骤中形成的尺寸或节距更小的单层。这种过程的示例包括光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)、自对齐双重图案形成(SADP)和自对齐四重图案形成(SAQP)。这些过程给检查和量测过程带来了困难。

发明内容

本公开旨在提供改进的量测方法，例如，用于光刻设备制造过程。

根据一个实施例，提供了一种图像分析方法，该方法用于标识通过多步骤过程形成的特征的阵列的一部分的图像中的特征，该方法包括：

分析图像中可见的特征的变化；以及

至少部分基于分析的结果，将图像的特征与多步骤过程的步骤相关联。

根据一个实施例，提供了一种器件制造方法，包括：

使用多步骤过程在衬底上形成特征的阵列；

获得阵列的一部分的图像；

分析如上所述的图像，以将特征与多步骤过程的步骤相关联；

检测阵列的特征中的缺陷；以及

基于特征与步骤的关联以及所检测到的缺陷，执行补救措施。

根据一个实施例，提供了一种图像分析装置，该装置用于标识由多步骤过程形成的特征的阵列的一部分的图像中的特征，该装置包括：

图像分析模块，被配置为分析图像中可见的特征的变化；以及

关联模块，被配置为至少部分基于分析结果，将图像的特征与多步骤过程的步骤相关联。

根据一个实施例，提供了一种分析由自对齐四重图案形成过程形成的特征的阵列的一部分的图像的方法，该方法包括：

标识图像中的多个特征；

为每个经标识的特征指派特点值，该特点值表示特征的位置变化或形状变化；

将特征分组为第一组、第二组、第三组和第四组，每个组包括经对齐的特征的集合，第一组、第二组、第三组和第四组按该次序彼此相邻；

确定第一组的特点值的变化与第二组的特点值的变化之间的第一相关性值；

确定第二组的特点值的变化与第三组的特点值的变化之间的第二相关性值；