[发明专利]3D DRAM结构和制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

多个有源区域，所述多个有源区域沿着第一方向、第二方向、和第三方向隔开；

多个导电层，所述多个导电层被布置为使得至少一个导电层沿着所述第三方向与所述有源的每一者的至少一侧相邻；和

导电桥接器，所述导电桥接器沿着所述第二方向延伸并且将每个导电层连接到一个或更多个相邻的导电层。

2.如权利要求1所述的存储器装置，进一步包括：栅极氧化物层，所述栅极氧化物层介于所述有源区域与所述导电层之间。

3.如权利要求1所述的存储器装置，进一步包括：电容器，所述电容器沿着所述第一方向位于所述有源区域的一侧上，所述电容器不与所述导电层或所述导电桥接器直接接触。

4.如权利要求3所述的存储器装置，其中所述电容器包括：下部电极，所述下部电极与所述有源区域接触；高k电介质，所述高k电介质与所述下部电极相邻且位于所述下部电极的相对侧上；和上部电极，所述上部电极与所述高k电介质相邻且位于所述下部电极的相对侧上。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述有源区域包括晶体管。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述有源区域中的至少一些有源区域与一个导电层相邻。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述有源区域的每一者沿着所述第三方向均在所述有源区域的任一侧上具有导电层。

8.如权利要求1所述的存储器装置，进一步包括：位线，所述位线沿着所述第三方向延伸且与沿着所述第三方向隔开的所述有源区域相邻。

9.一种存储器装置，包括：

多对有源区域，所述多对有源区域沿着第一方向、第二方向、和第三方向隔开；

多条位线，所述多条位线在所述第一方向上隔开的有源区域对之间沿着所述第三方向延伸；

多个导电层，所述多个导电层被布置为使得至少一个导电层与所述有源区域的每一者的至少一侧相邻，所述至少一侧相对于所述有源区域沿着所述第三方向定位；和

导电桥接器，所述导电桥接器沿着所述第二方向延伸且将每个导电层连接到一个或更多个相邻的导电层。

10.如权利要求9所述的存储器装置，进一步包括：栅极氧化物层，所述栅极氧化物层介于所述有源区域与所述导电层之间。

11.如权利要求9所述的存储器装置，进一步包括：电容器，所述电容器沿着所述第一方向与所述位线相对地位于所述有源区域的一侧上，所述电容器不与所述导电层或所述导电桥接器直接接触。

12.如权利要求11所述的存储器装置，其中所述电容器包括：下部电极，所述下部电极与所述有源区域接触；高k电介质，所述高k电介质与所述下部电极相邻且位于所述下部电极的相对侧上；和上部电极，所述上部电极与所述高k电介质相邻且位于所述下部电极的相对侧上。

13.如权利要求12所述的存储器装置，其中所述有源区域包括晶体管，且栅极沿着所述第三方向介于所述晶体管与所述导电层之间。

14.如权利要求13所述的存储器装置，其中所述晶体管沿着所述第一方向具有50nm到300nm的范围内的长度，并且所述导电桥接器沿着所述第一方向具有5nm到180nm的范围内的长度，所述桥接器的长度小于所述晶体管的长度。