[发明专利]等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法在审
| 申请号： | 202180017270.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN116018669A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 上田和浩;池永和幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 保护 皮膜 清洗 方法 | ||
1.一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，所述等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的所述等离子进行处理，
所述等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法的特征在于，具有如下工序：
(a)准备在表面具备含有钇的等离子处理装置用保护皮膜的所述基材；和
(b)将所述基材浸渍到稀硝酸液中，通过对所述等离子处理装置用保护皮膜进行超声波照射来进行清洗，
在所述(b)工序中，在所述清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始所述超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，其中，
所述稀硝酸液的稀硝酸浓度是0.05mol/升以下。
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，其中，
所述稀硝酸液的稀硝酸浓度是0.001mol/升以上。
4.根据权利要求1所述的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，其中，
所述稀硝酸液的稀硝酸浓度是0.001mol/升以上且0.05mol/升以下。
5.根据权利要求1所述的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，其中，
在所述(b)工序中，从开始所述超声波照射起经过60分钟前停止清洗。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，其中，
在所述(b)工序中，从开始所述超声波照射起经过30分钟后停止清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
