[发明专利]等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法

说明书

提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。作为其手段，是一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和(b)将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在(b)工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。

技术领域

本发明涉及等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。

背景技术

在电子器件、磁存储器的制造中，在微细加工中，应用等离子蚀刻。由于进行等离子蚀刻的等离子处理装置的处理室内壁在蚀刻过程时暴露于高频等离子和蚀刻气体下，因此内壁表面形成耐等离子性优异的皮膜来进行保护。

在专利文献1(JP特开2009-176787号公报)中记载了：由Al₂O₃、YAG、Y₂O₃、Gd₂O₃、Yb₂O₃或者YF₃中的任一种或者2种以上构成等离子蚀刻装置的接地部皮膜材料。此外，在专利文献2(JP特开2017-31457号公报)中记载了将在表面成膜有热喷涂皮膜的基材浸渍到有机酸中的清洗方法。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2009-176787号公报

专利文献2：JP特开2017-31457号公报

发明内容

发明想要解决的课题

具有耐等离子性的上述皮膜要求将表面粗糙度(Ra)以及气孔率抑制得低，因此在皮膜形成后进行对其表面进行研磨等的后处理。但是，通过后处理，由于以壁厚的薄的区域或者进行了静电吸附的内壁材料等作为原因的表面附着异物的放出，容易在蚀刻对象附着异物。因此，需要减少后处理后的异物产生的清洗方法。

本发明的目的在于，提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。

其他目的和新颖的特征会通过本说明书的记述以及附图得到明确。

用于解决课题的手段

在本申请中公开的实施方式当中，如下那样简单说明代表性的实施方式的概要。

代表性的实施方式的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法是中，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和(b)将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在(b)工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。

发明效果

根据代表性的实施方式，能够提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。

附图说明

图1是示意表示本发明的实施方式所涉及的等离子处理装置的结构的概略的纵截面图。

图2是示意表示构成图1所示的接地电极的部件的结构的概略的立体图。