[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180021108.7 申请日: 2021-02-22
公开(公告)号: CN115335984A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 石松祐司;滨宪治;原英夫 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L25/07;H01L21/60;H01L25/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 曾贤伟;李平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

半导体装置具备基板、导电部、封固树脂以及导电部间电线。上述基板具有在厚度方向上相互朝向相反侧的基板主面及基板背面。上述导电部由导电性材料构成且形成在上述基板主面上。并且,导电部包含相互分离的第一部及第二部。上述封固树脂覆盖上述基板的至少一部分以及上述导电部的整体。上述导电间线与上述导电部的上述第一部及上述第二部导通接合。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术

作为各种半导体装置之一,存在被称为IPM(Intelligent Power Module:智能功率模块)的半导体装置。这样的半导体装置具备半导体芯片、控制半导体芯片的控制芯片、以及覆盖半导体芯片及控制芯片的封固树脂(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2020-4893号公报

发明内容

发明所要解决的课题

控制芯片具有多种控制信号的输入输出。控制信号的数量越多,则需要使朝向控制芯片的导通路径的数量越多。但是,在如现有技术那样由多个引线构成上述导通路径的形态中,半导体装置的进一步的高集成化可能变得困难。

本公开是鉴于上述情况而完成的,其一个课题在于提供一种能够实现更高集成化的半导体装置。

用于解决课题的方案

由本公开的第一方案提供的半导体装置具备:基板,其具有在厚度方向上相互朝向相反侧的基板主面及基板背面;导电部,其由导电材料构成且形成在上述基板主面上,上述导电部包含相互分离的第一部及第二部;封固树脂,其覆盖上述基板的至少一部分及上述导电部的整体;以及导电部间电线,其与上述第一部及上述第二部导通接合。

发明的效果如下。

在上述半导体装置中,在基板主面上形成有导电部。由此,能够由形成在基板主面上的导电部构成朝向配置在基板主面上的电子器件的导通路径。因此,与例如由金属制的引线构成导通路径的情况相比,能够实现导通路径的细线化、高密度化。并且,导电部间电线与导电部的相互分离的第一部和第二部导通接合。因此,相比在第一部与第二部之间配置有连接布线、电子器件的情况等使将第一部与第二部连接的连接布线大幅度地绕过配置的情况,能够缩短导通路径,并且导通路径的设计的自由度变大。根据这样的半导体装置,能够实现高集成化的促进。

通过参照附图在下文中进行的详细说明,本公开的其它特征以及优点会变得更加明确。

附图说明

图1是示出第一实施方式的半导体装置的立体图。

图2是示出图1的半导体装置的俯视图。

图3是示出图1的半导体装置的俯视图,且是透过封固树脂的图。

图4是示出图1的半导体装置的仰视图。

图5是沿着图3的V-V线的剖视图。

图6是图3的局部放大图。

图7是沿着图6的VII-VII线的剖视图。

图8是示出图1的半导体装置的基板的俯视图。

图9是示出图1的半导体装置的制造方法的一例的一个工序的流程图。

图10是示出第二实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。

图11是示出第三实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。

图12是示出第四实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。

图13是示出第五实施方式的半导体装置的局部放大俯视图。

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