[发明专利]高频生成装置在审
申请号: | 202180024792.4 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN115336397A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 村井浩一 | 申请(专利权)人: | 东京计器株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H05H1/24;A61L2/14 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 麻吉凤;毛燕生 |
地址: | 日本国东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 生成 装置 | ||
1.一种高频生成装置,其使由高频放大器放大并供给到等离子体生成电极的高频电力中的高次谐波减少,其中,所述高频生成装置具备:
高频生成部,生成将补偿波和基波合成而得的合成波,所述补偿波是将由所述基波的输入而生成的高次谐波的相位反转而成。
2.根据权利要求1所述的高频生成装置,其特征在于,
所述补偿波是根据预先保存于存储装置、且基于高频放大器的特性的高次谐波信息而生成的。
3.根据权利要求1或2所述的高频生成装置,其特征在于,
还具备第1调节部,在所述高频电力中的高次谐波的振幅为所定的第1阈值以上时,所述第1调节部以使该高次谐波的振幅减少的方式调节所述补偿波的振幅及相位。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的高频生成装置,其特征在于,
还具备第2调节部,在所述合成波的振幅超过不同于所述第1阈值的第2阈值时,所述第2调节部以使该合成波的振幅减少的方式调节所述基波及所述补偿波的振幅。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的高频生成装置,其特征在于,
所述等离子体生成电极被选择性地供给第1基波或频率高于该第1基波的第2基波的高频电力,
所述高次谐波是在基于所述第1基波的高频电力中、频率最接近所述第2基波的高次谐波,
所述高频生成部生成将所述第1基波和补偿波合成而得的合成波,所述补偿波是将所述高次谐波的相位反转而成。
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