[发明专利]检查用于EUV光刻的掩模的系统与方法

说明书

在检查用于EUV光刻的掩模期间提供基于机器学习的潜在掩模缺陷预分类。

德国专利申请案DE 10 2020 204 508.9的内容以引用方式并入本文中。

本发明关于一种检查用于EUV光刻的掩模的系统。本发明关于一种检查用于EUV光刻的掩模的方法。

例如，光刻方法用于生产微结构或纳米结构部件，例如存储器芯片。在这种情况下，借助投射曝光设备将结构从掩模成像到晶圆上。为确保掩模适用于预期目的，在使用前借助检查系统，特别是APMI(光化图案掩模检查)系统对其进行测试。特别是，还可规定对提供用于制造掩模的基板进行检查，该基板也称为掩模坯料(mask blank)。为此，可使用ABI(光化坯料检查)系统。

举例来说，从US 2017/0235031 A1中已知ABI系统。因此总是需要改进用于检查EUV光刻掩模的系统和方法。

这些目的系通过独立专利权利要求的特征来实现。

本发明的核心由为了检查光刻掩模的目的而利用多阶段方法或具有多部分系统的系统所构成。在这种情况下，潜在的掩模缺陷在第一部分系统的帮助下进行初步识别和/或定位。然后，在第二部分系统的帮助下，潜在的掩模缺陷经过预分类，特别是使用置信参数(confidence parameter)进行评估。然后，在预分类的基础上，特别是在置信参数的基础上，检查潜在掩模缺陷的子集。

根据本发明，认识到，从在第一部分步骤中确定的潜在掩模缺陷中挑选出那些允许以给定可靠性做出决定，即实际上具有掩模缺陷，而无需进一步检查是有利的。挑选出那些潜在的掩模缺陷(所谓的误报)可能同样是有利的，这允许以给定可靠性做出决定，这些不是缺陷或者是与掩模的进一步使用无关的缺陷，而无需进一步检查。

在由第三部分系统执行的检查步骤中，则仅需要检查在第一方法步骤中确定的潜在掩模缺陷的子集。这造成节省可观的时间。

该系统和方法同样适用于检查掩模和检查掩模坯料。在下文中，术语掩模应理解为表示实际结构化掩模与非结构化掩模，即掩模坯料。

EUV辐射应理解为是指波长范围为5nm至30nm的电磁辐射。特别是，这可能与波长为13.5nm或7nm的辐射有关。

根据本发明的一个方面，用于潜在掩模缺陷预分类的第二部分系统利用自动图像分析方法，特别是自动图案识别方法。尤其是，这可为全自动方法。尤其是，这可为非算法方法。

第二部分系统还可包括运算法预处理或后处理步骤，特别是过滤步骤和/或转换步骤，例如一个或多个傅立叶转换。尤其是，可基于空间域或频域中的数据进行预分类。

根据本发明的另一方面，用于潜在掩模缺陷预分类的第二部分系统运用机器学习。尤其是，可以基于软件的方式进行预分类。

尤其是，第二部分系统可包括数据处理装置。尤其是，数据处理装置用于处理由第一部分系统提供的数据，以识别和/或定位潜在的掩模缺陷。

第二部分系统可用数据连接到第一部分系统，其也可实施为第一部分系统的组成部分。其也可实施为第三部分系统的组成部分、实施为部分系统的共同控制装置的组成部分或实施为单独部分系统。

第二部分系统可包括单独光学系统。尤其是，其可包括用于对掩模成像的光学系统。尤其是，这可为光化系统。

在本文中，光化系统应理解为一种系统，其用于成像和/或测试，使用波长对应于为后续在投射曝光设备中使用掩模结构化晶圆所提供的波长的照明辐射。

尤其是，第二部分系统可包括EUV系统。

根据本发明的另一方面，第二部分系统和第三部分系统可使用相同的光学系统来检查掩模。尤其是，第二部分系统和第三部分系统可包括共用光学系统，这减少整个系统的结构支出。