[发明专利]用于计量测量的在线导航偏移校正

说明书

可配置经安置于样品上的第一目标的第一建模目标位置处的视场，这可包含使载物台相对于检测器移动。通过加总第一设计目标位置与由在线模型提供的导航误差来确定所述第一建模目标位置。使用所述检测器来抓取所述视场的第一图像。配置经安置于所述样品上的第二目标的第二建模目标位置处的所述视场。与配置所述第二建模目标位置处的所述视场并行地，使用处理器，使用所述第一图像来确定第一实际目标位置的位置。用所述第一设计目标位置与所述第一实际目标位置之间的差来更新所述在线模型。

技术领域

本公开大体上涉及半导体制造。

背景技术

半导体制造行业的演变对良率管理且特定来说对计量及检验系统寄予更高要求。临界尺寸继续缩小，然而行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到将其修复的总时间确定对于半导体制造者的投资回报。

计量系统依靠载物台的移动准确性来满足工艺要求。此移动可包含载物台到执行所关注测量(例如，覆盖目标)所必需的位置的移动。元件在晶片设计上的预期位置(即，设计位置)可与实际位置(即，经测量位置)略有不同。

可存在此失配的若干原因：实际晶片误差，这可由(例如)晶片制造工艺引起；载物台运动的固有不准确性，这可由(例如)其位置编码器或致动器引起；或在测量期间晶片相对于载物台的偏移效应，这可由(例如)不同热膨胀(即，热偏移)引起。

当将晶片放置于计量工具上以进行检验时，晶片及计量工具可处于不同温度。在制造期间，所述计量工具也可处于不同于晶片的温度。

先前，已采用用于偏移的静态模型。在此模型中，已基于计量工具及晶片的假定偏移(例如，归因于加热、冷却或温度差)进行计算，且已补偿晶片上的元件(例如，目标)的经估计位置。此模型在图1中进行说明，其中方法100可包含首先在101在经估计目标位置处配置工具的视场(FOV)。接着，在102，可抓取经估计目标位置处的所述FOV内的晶片的图像。在103，可处理所述图像以确定目标在FOV内的实际位置。最后，可使用实际目标位置与经估计目标位置之间的差来估计FOV将要被配置到的下一目标位置。

然而，此模型遭受不准确性的缺点。首先，假定目标的实际位置在FOV内。如果目标的实际位置不在FOV内，那么除了FOV内的搜寻之外还执行FOV周围的搜寻。通常，晶片的温度是瞬时的，且因此可能不存在实际可定义的晶片温度且按总检验时间的数量级计算热偏移可能不切实际。此外，晶片的膨胀或收缩可在依据测量自身的数量级的时间尺度上，且因此用于热膨胀的静态模型未实现连续准确的位置信息。此外，此模型未考虑导航偏移及误差的其它来源(例如翘曲)。

因此，需要定位及测量目标的经改进方法及系统。

发明内容

在第一实施例中提供一种方法。所述方法包括提供包含检测器及用于固持样品的载物台的工具。使用所述工具，配置安置于所述样品上的第一目标的第一建模目标位置处的视场。通过将第一设计目标位置与由在线模型提供的导航误差加总来确定所述第一建模目标位置。配置所述视场包括使所述载物台相对于所述检测器移动。使用所述检测器来抓取所述视场的第一图像。

配置安置于所述样品上的第二目标的第二建模目标位置处的视场。通过将第二设计目标位置与由所述在线模型提供的所述导航误差加总来确定所述第二建模目标位置。与配置所述第二建模目标位置处的所述视场并行地，使用处理器使用所述第一图像来确定第一实际目标位置的位置，且用所述第一设计目标位置与所述第一实际目标位置之间的差来更新所述在线模型。所述处理器与所述工具电子通信。