[发明专利]电光器件在审
申请号: | 202180026047.3 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN115413329A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 长瀬健司;田家裕 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035;G02F1/03 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 器件 | ||
本发明提供一种电光器件,其具备:基板;设置于所述基板上的规定区域并由铌酸锂或铌酸钽形成的光波导膜;缓冲层,与所述光波导膜邻接而形成;以及电极,对所述光波导膜施加电场,在所述规定区域外具备未透光的光波导膜。根据本发明的电光器件,能够抑制光的传播损耗。
技术领域
本发明涉及一种用于光通信和光学测量领域的电光器件。
背景技术
伴随着互联网的普及,通信量飞跃性地增加,光纤通信的重要性非常高。光纤通信是将电信号转换为光信号,并通过光纤来传输光信号的通信方式,具有宽带宽、低损耗、抗噪性强的特征。
作为将电信号转换为光信号的方式,已知有利用半导体激光的直接调制方式和使用了光调制器的外部调制方式。直接调制虽然不需要光调制器而且成本低,但是在高速调制方面有极限,在高速且长距离的用途中使用外部光调制方式。
在专利文献1中公开了使用铌酸锂膜的马赫-曾德尔光调制器。使用了铌酸锂膜(LN膜)的光调制器与使用了铌酸锂单晶基板的光调制器相比,实现了大幅度的小型化、低驱动电压化。图5示出了专利文献1中记载的现有的光调制器400的截面结构。在蓝宝石基板21上形成由铌酸锂膜制成的一对光波导22a,22b,并且信号电极24a和接地电极24b经由缓冲层23分别配置在光波导22a,22b的上部。该光调制器400是具有一个信号电极24a的所谓单驱动型,信号电极24a和接地电极24b为对称结构,因此施加到光波导22a,22b的电场的大小相等,符号相反。
在使用LN膜的光波导中,光的锁定对于降低驱动电压很重要,因此,必须注意LN膜品质和LN膜中的微裂纹。
例如,由于低折射率的氧化硅被形成为与作为光波导的LN膜相邻的缓冲层,因此,由于LN膜的热膨胀系数与氧化硅的热膨胀系数之差而引起的应力的影响可能导致光波导膜产生裂纹,从而使光传输收到损失。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-195383号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种光的传播损耗小的电光器件,具备:基板;设置于所述基板上的规定区域并由铌酸锂或铌酸钽形成的光波导膜;缓冲层,与所述光波导膜邻接而形成;以及电极,对所述光波导膜施加电场,在所述规定区域外具备未透光的光波导膜。根据本发明的电光器件,通过设置未透光的光波导膜,能够减小从缓冲层施加于光波导膜的应力,抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,所述光波导膜具有直线部,在该直线部的附近具备所述未透光的光波导膜。由此,进一步抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,所述未透光的光波导膜具有多个。由此,根据光波导膜的设置位置适宜地设置未透光的光波导膜,能够进一步抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,所述未透光的光波导膜沿所述直线部设置。由此,进一步抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,所述光波导膜与所述未透光的光波导膜的膜厚大致相同。由此,进一步抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,在垂于光的传播方向的截面上,所述光波导膜介于所述未透光的光波导膜之间。由此,进一步抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
另外,本发明的电光器件中,优选地,在垂于光的传播方向的截面上,设置于所述基板上的所述未透光的光波导膜被所述缓冲层包围。由此,能够使未透光的光波导膜及其周围的缓冲层与光波导膜及其周围的缓冲层结构一致,进一步减小从缓冲层施加于光波导膜的应力,抑制在光波导膜上产生裂纹,从而减小光传输损耗。
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