[发明专利]激光加工装置、激光加工方法及晶圆

权利要求书

1.一种激光加工装置，其中，

是通过对含有III-V族化合物半导体的对象物至少使聚光区域的一部分对焦而照射激光，在所述对象物形成改性区域的激光加工装置，具备：

支承部，其支承所述对象物；

照射部，其对被所述支承部支承的所述对象物照射所述激光；

控制部，其控制所述支承部及所述照射部，

所述照射部具有：

成形部，其使所述激光成形为在与所述激光的光轴垂直的面内的所述聚光区域的一部分的形状具有长边方向，

所述控制部具有：

决定部，其将在所述对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线使所述聚光区域的一部分相对地移动的情况下的所述长边方向的朝向，决定成为与所述聚光区域的一部分的移动方向之间的角度比45°小的角度的规定方向；

加工控制部，其沿着所述线使所述聚光区域的一部分相对地移动而形成所述改性区域，在与所述对象物的激光入射面相反的侧的相反面产生具有所述长边方向的形状的照射痕；以及

调整部，其在通过所述加工控制部形成所述改性区域的情况下，调整所述长边方向的朝向以成为所述决定部所决定的所述规定方向。

2.如权利要求1所述的激光加工装置，其中，

所述加工控制部，沿着所述线的一部分，以从所述改性区域延伸的龟裂到达与所述对象物的激光入射面相反的侧的相反面的方式，形成该改性区域。

3.如权利要求1或2所述的激光加工装置，其中，

所述加工控制部，沿着所述线，在所述对象物的厚度方向上使多列所述改性区域形成为，使该改性区域占领所述厚度方向上所述对象物的全域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的激光加工装置，其中，

所述加工控制部，以从所述改性区域延伸的龟裂不到达所述对象物的激光入射面的方式，使该改性区域形成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的激光加工装置，其中，

所述对象物含有砷化镓。

6.如权利要求1至5中任一项所述的激光加工装置，其中，

所述成形部含有空间光调制器，

所述调整部，通过控制所述空间光调制器，调整所述长边方向的朝向。

7.一种激光加工方法，其中，

是通过对含有III-V族化合物半导体的对象物至少使聚光区域的一部分对焦而照射激光，在所述对象物形成改性区域的激光加工方法，具备：

成形工序，其使所述激光成形为在与所述激光的光轴垂直的面内的所述聚光区域的一部分的形状具有长边方向；

决定工序，其将在所述对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线使所述聚光区域的一部分相对地移动的情况下的所述长边方向的朝向，决定成为与所述聚光区域的一部分的移动方向之间的角度比45°小的角度的规定方向；

加工工序，其沿着所述线使所述聚光区域的一部分相对地移动而形成所述改性区域，在与所述对象物的激光入射面相反的侧的相反面产生具有所述长边方向的形状的照射痕；以及

调整工序，其在通过所述加工工序形成所述改性区域的情况下，调整所述长边方向的朝向以成为所述决定工序所决定的所述规定方向。

8.如权利要求7所述的激光加工方法，其中，

在所述加工工序，沿着所述线的一部分，以从所述改性区域延伸的龟裂到达与所述对象物的激光入射面相反的侧的相反面的方式，形成该改性区域。

9.如权利要求8所述的激光加工方法，其中，

具备：切断工序，其在所述加工工序后，以到达所述相反面的龟裂为边界而使所述对象物分开的方式对所述对象物施加应力，沿着所述线切断所述对象物。

10.如权利要求7至9中任一项所述的激光加工方法，其中，

在所述加工工序，沿着所述线，在所述对象物的厚度方向上将多列所述改性区域形成为，该改性区域占领所述厚度方向上所述对象物的全域。