[发明专利]激光加工装置、激光加工方法及晶圆

说明书

激光加工装置，具备支承部、照射部和控制部。照射部，具有成形部，其使激光成形为在与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向。控制部具有：决定部，其将在含有III‑V族化合物半导体的对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线使聚光区域的一部分相对地移动的情况下的长边方向的朝向，决定成为与聚光区域的一部分的移动方向之间的角度比45°小的角度的规定方向；加工控制部，其沿着线使聚光区域的一部分相对地移动而形成改性区域，在对象物的与激光入射面相反的侧的相反面产生具有长边方向的形状的照射痕；以及调整部，其在通过加工控制部形成改性区域的情况下，调整长边方向的朝向以成为决定部所决定的规定方向。

技术领域

本发明涉及一种激光加工装置、激光加工方法及晶圆。

背景技术

在专利文献1，记载有激光加工装置，其具备：保持工件的保持机构、对保持机构所保持的工件照射激光的激光照射机构。专利文献1所记载的激光加工装置，是使具有聚光透镜的激光照射机构对基台固定，通过保持机构实施沿着与聚光透镜的光轴垂直的方向的工件的移动。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5456510号公报

发明内容

发明想要解决的问题

但是，例如在半导体器件的制造工序中，实施有将对象物的有效区域的外缘部分作为去除区域而去除的修整加工。在修整加工，为了从对象物去除该外缘部分，通过在对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线，使激光的聚光区域的一部分(例如聚光点)相对地移动，由此沿着该线形成改性区域。在此，对象物包含III-V族化合物半导体的情况下，修整加工的结果，在与对象物的激光入射面相反的侧的相反面，会有沿着线产生照射痕的情况。该情况下，期望能抑制照射痕对对象物的有效区域造成的不良影响。

于是，本发明的课题在于提供一种激光加工装置、激光加工方法、及照射痕的不良影响受到抑制的晶圆，其能够在将含有III-V族化合物半导体的对象物修整加工的情况下，抑制照射痕对该对象物产生的不良影响。

解决问题的技术手段

本发明的一方式的激光加工装置，通过对含有III-V族化合物半导体的对象物至少使聚光区域的一部分对焦而照射激光，由此在对象物形成改性区域，该激光加工装置，具备：支承对象物的支承部、对被支承部所支承的对象物而照射激光的照射部、控制支承部及照射部的控制部，照射部，具有成形部，其使激光成形为在与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向，控制部，具有：决定部，其将在对象物的外缘的内侧沿着延伸成环状的线使聚光区域的一部分相对地移动的情况下的长边方向的朝向，决定为与聚光区域的一部分的移动方向之间的角度比45°小的角度的规定方向；加工控制部，其沿着线使聚光区域的一部分相对地移动而形成改性区域，在与对象物的激光入射面相反的侧的相反面产生具有长边方向的形状的照射痕；以及调整部，其在通过加工控制部形成改性区域的情况下，调整长边方向的朝向以成为决定部所决定的规定方向。

该激光加工装置，使激光成形为在与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状(以下也称为“光束形状”)具有长边方向，在与对象物的激光入射面相反的侧的相反面产生的照射痕的形状，也为具有与光束形状相同的长边方向的形状。而且，将聚光区域的一部分的移动方向(以下也称为“加工行进方向”)与光束形状的长边方向之间的角度作为比45°小的角度而使光束形状的长边方向沿着加工行进方向，照射痕的长边方向也沿着加工行进方向。由此，与照射痕的长边方向正交于加工行进方向的情况相比，可减少照射痕进入有效区域的内侧的程度。于是，在修整加工含III-V族化合物半导体的对象物的情况下，可抑制照射痕对该对象物产生不良影响的情况。

在本发明的一方式的激光加工装置，加工控制部，也可以沿着线的一部分，以从改性区域延伸的龟裂到达与对象物的激光入射面相反的侧的相反面的方式，形成该改性区域。由此，在修整加工含III-V族化合物半导体的对象物的情况下，可沿着线而精度良好地切断该对象物。