[发明专利]激光加工装置及激光加工方法

说明书

一种激光加工装置，其中，具备控制部，控制部执行下述处理：第一处理，以第一加工条件来控制激光照射单元，该第一加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域和改质区域；第二处理，确定有关改质区域的状态，并判断第一加工条件是否适当；第三处理，以第二加工条件来控制激光照射单元，该第二加工条件被设定为：在晶圆的内部形成改质区域，并且在晶圆的厚度方向上的改质区域之间形成改质区域；以及，第四处理，确定有关改质区域的状态，并判断第二加工条件是否适当。

技术领域

本发明的一方面方面涉及一种激光加工装置及激光加工方法。

背景技术

已知有一种激光加工装置，其为了沿多条线分别切断具备半导体基板和已形成于半导体基板的一表面上的功能元件层的晶圆(wafer)，从半导体基板的另一表面侧对晶圆照射激光，由此沿多条线分别在半导体基板的内部形成多列的改质区域。专利文献1所记载的激光加工装置具备红外线照相机，能够从半导体基板的背面侧观察在半导体基板的内部所形成的改质区域、功能元件层上所形成的加工损伤等。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2017-64746号公报

发明内容

[发明所要解决的技术问题]

在如上所述的激光加工装置中，有时通过一边形成多个激光的聚光点且一边形成加工层，来谋求加工层的形成速度的提高。另一方面，据本发明人等的知识见解所知，当在对象物的厚度方向上同时形成多个聚光点并照射激光时，从一方的聚光点上所形成的改质区域延伸的龟裂，会使另一方的聚光点上的改质区域的形成及该龟裂的进展受到影响，其结果，会有龟裂量(龟裂的长度)变得不稳定的问题。该问题即便是在不同时形成多个聚光点的情况(1个焦点的情况)中仍可能发生。即，例如，在以1个焦点，在最初形成离入射面较远侧的改质区域之后，形成离入射面较近侧的改质区域的情况下，由于离入射面较近侧的改质区域是在离入射面较远侧的龟裂未充分延伸的状态下被加工，所以会有总龟裂量变得不稳定的问题。在龟裂量已变得不稳定的情况下，以龟裂为边界而切断对象物时的切断面的质量(即加工品质)会降低。

为了抑制龟裂量变得不稳定，例如可以考虑如下方法：先行形成以龟裂彼此不连接的程度而使其充分地分开的多个改质区域之后，在该多个改质区域之间(晶圆的厚度方向上的之间)形成改质区域，最终形成横跨全部的改质区域的龟裂，由此，避免从同时形成的改质区域(或是在以1个焦点连续地形成的多个改质区域)延伸的龟裂彼此相互连接。如此，对于在形成外侧的改质区域之后形成内侧的改质区域的加工方法而言，其加工方法是复杂的，并难以设定适当的加工条件。在未能适当地设定加工条件的情况下，存在无法充分地确保已被加工过的晶圆的品质的问题。

本发明的一方面是鉴于上述实际情况而开发的，其目的在于提供一种激光加工装置及激光加工方法，其在晶圆的厚度方向上形成外侧的改质区域及内侧的改质区域的情况下，能够确保晶圆的品质。

[解决技术问题的技术手段]