[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

使多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理的处理槽；

第一喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于比所述多个基片靠下方的位置，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述处理槽；

第二喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于比所述第一喷嘴靠上方的位置，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述处理槽；和

流量控制部，其在第一位置处的所述处理液的温度与第二位置处的所述处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量增加，其中，所述第一位置比所述多个基片靠下方，所述第二位置比将所述多个基片上下分割的假想的中心线靠上方。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴配置于比所述第一喷嘴靠上方且比所述中心线靠下方的位置，朝向所述第二位置释放进行了温度调节的所述处理液。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴包括：

沿着所述多个基片的排列方向排列的多个第一释放口；和

沿着与所述排列方向正交的水平方向排列的多个第二释放口，

在沿着所述排列方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第一释放口配置于比与所述基片的周缘部相切的假想的铅垂线靠所述基片的外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液，

在沿着所述水平方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第二释放口配置于比位于所述多个基片中的排头或者排尾的所述基片靠所述排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述流量控制部在使所述多个基片浸渍在所述处理槽所贮存的所述处理液中之前，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量增加，在所述差为所述阈值以下的情况下，使从所述第二喷嘴供给的进行了温度调节的所述处理液的流量降低。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴配置于比所述中心线靠上方且比贮存于所述处理槽的所述处理液的液面靠下方的位置，朝向所述液面释放进行了温度调节的所述处理液。

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二喷嘴包括：

沿着所述多个基片的排列方向排列的多个第一释放口；和

沿着与所述排列方向正交的水平方向排列的多个第二释放口，

在沿着所述水平方向透视所述处理槽的情况下，所述多个第二释放口配置于比位于所述多个基片中的排头或排尾的所述基片靠所述排列方向外侧的位置，向铅垂上方释放进行了温度调节的所述处理液，

在沿着所述排列方向透视所述处理槽的情况下，从所述多个第一释放口释放的进行了温度调节的所述处理液的释放方向与铅垂上方相比向所述基片侧倾斜，且与通过所述第一释放口的所述基片的切线相比更偏竖直方向。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

第一供给路径，其与所述第一喷嘴连接，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述第一喷嘴；

温度调节部，其设置于所述第一供给路径，调节在所述第一供给路径中流动的所述处理液的温度；

第一温度传感器，其设置于所述第一供给路径中比所述温度调节部靠下游的位置，检测在所述第一供给路径中流动的所述处理液的温度作为所述第一位置处的所述处理液的温度；

第二温度传感器，其检测所述第二位置处的所述处理液的温度；

第二供给路径，其与所述第二喷嘴连接，将进行了温度调节的所述处理液供给到所述第二喷嘴；和

调节阀，其设置于所述第二供给路径，调节所述第二供给路径的开度，

所述流量控制部以由所述第一温度传感器检测的第一温度与由所述第二温度传感器检测的第二温度之差越大则所述调节阀的开度越大的方式控制所述调节阀。