[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明的基片处理装置(1、1A～1C)包括处理槽(11)、第一喷嘴(30)、第二喷嘴(40、40B)和流量控制部(5)。处理槽(11)使多个基片(W)浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴(30)在处理槽(11)的内部配置于比多个基片(W)靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。第二喷嘴(40、40B)在处理槽(11)的内部配置于比第一喷嘴(30)靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽(11)。流量控制部(5)在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴(40、40B)供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片(W)靠下方，第二位置比将多个基片(W)上下分割的假想的中心线靠上方。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

以往，已知有通过使由多个基片形成的批次(lot)浸渍在贮存有处理液的处理槽中，来对多个基片一并进行处理的基片处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-174258号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括处理槽、第一喷嘴、第二喷嘴和流量控制部。处理槽使多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第一喷嘴在处理槽的内部配置于比多个基片靠下方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。第二喷嘴在处理槽的内部配置于比第一喷嘴靠上方的位置，将进行了温度调节的处理液供给到处理槽。流量控制部在第一位置处的处理液的温度与第二位置处的处理液的温度之差超过了阈值的情况下，使从第二喷嘴供给的进行了温度调节的处理液的流量增加，其中，第一位置比多个基片靠下方，第二位置比将多个基片上下分割的假想的中心线靠上方。

发明效果

依照本发明，能够提高处理槽内的处理液的温度均匀性。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的框图。

图2是从上方观察第一实施方式的内槽的俯视图。

图3是从图2的Y轴负方向向Y轴正方向观察第一实施方式的内槽的剖视图。

图4是从图2的从X轴正方向向X轴负方向观察第一实施方式的内槽的剖视图。

图5是表示第一实施方式的基片处理装置执行的处理的流程的流程图。

图6是用于说明送液机构的控制处理的一例的图。

图7是表示第一变形例的基片处理装置的结构的图。

图8是表示第二实施方式的基片处理装置的结构的图。

图9是从上方观察第二实施方式的内槽的俯视图。

图10是从图9的Y轴负方向向Y轴正方向观察第二实施方式的内槽的剖视图。

图11是表示第二实施方式的流量控制处理的流程的流程图。

图12是表示第二实施方式的温度控制处理的流程的流程图。

图13是表示第三实施方式的基片处理装置的结构的图。

图14是从下方观察第三实施方式的盖体的图。

图15是从图14的X轴正方向向X轴负方向观察第三实施方式的盖体的图。

具体实施方式