[发明专利]弹性波装置在审
申请号: | 202180028743.8 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN115485973A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 谷口康政;大门克也;岩本英树 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 | ||
1.一种弹性波装置,具备:
压电性基板;
IDT电极,其设置在所述压电性基板上,具有相互交替插入的第一电极指及第二电极指;以及
反射器电极,其配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧,具有多根电极指,
在所述IDT电极中,在沿弹性波传播方向观察时,所述第一电极指与所述第二电极指重叠的区域是交叉区域,所述交叉区域具有中央区域、以及配置在所述中央区域的所述第一电极指及第二电极指的延伸方向两侧的第一边缘区域及第二边缘区域,所述弹性波装置还具备电介质膜,该电介质膜被设置为从所述第一边缘区域及第二边缘区域到达设置有所述反射器电极的区域的弹性波传播方向外侧的区域。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述电介质膜被设置为在所述反射器电极的所述弹性波传播方向外侧不到达所述压电性基板的端部。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述电介质膜被设置为在所述反射器电极的所述弹性波传播方向外侧到达所述压电性基板的端部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述电介质膜被设置为从所述IDT电极与所述压电性基板之间到达所述反射器电极与所述压电性基板之间。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述电介质膜被设置为从所述IDT电极上到达所述反射器电极上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置还具备保护膜,该保护膜被设置为覆盖所述IDT电极。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述电介质膜包括从由氧化钽、氧化铪、氧化钨、氧化硒及氧化铌构成的组中选择的电介质。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述第一边缘区域及第二边缘区域的声速比所述中央区域的声速低。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板具有支承基板和直接或间接地层叠于所述支承基板的压电膜。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板还具备包括高声速材料的高声速材料层,该高声速材料层配置在所述压电膜与所述支承基板之间,在该高声速材料层传播的体波的声速比在压电膜传播的弹性波的声速高。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置,其中,
所述支承基板包括所述高声速材料,所述高声速材料层与所述支承基板被一体化。
12.根据权利要求10或11所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置还具备包括低声速材料的低声速膜,该低声速膜配置在所述高声速材料层与所述压电膜之间,在该低声速膜传播的体波的声速比在所述压电膜传播的体波的声速低。
13.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板还具备层叠在所述压电膜与所述支承基板之间的声反射膜。
14.根据权利要求13所述的弹性波装置,其中,
所述声反射膜具有声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180028743.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。