[发明专利]在相邻特征之间形成导电管的方法及在相邻特征之间具有导电管的集成组合件

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

一对大致上平行特征，其通过介入空间彼此隔开；

导电管，其在所述特征之间且大致上平行于所述特征；

第一介电材料，其在所述介入空间内、在所述导电管下方且沿着所述特征的侧壁；及

第二介电材料，其在所述介入空间内且在所述第一介电材料上方；所述第二介电材料在所述导电管上方及下方。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二介电材料沿着所述导电管的侧壁。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括在所述第二介电材料上方的第三介电材料。

4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述第二介电材料在所述特征上方；且所述集成组合件包括延伸跨越所述第二介电材料及所述第三介电材料的平坦化表面，其中所述平坦化表面通过至少所述第二介电材料与所述特征的上表面隔开。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述特征包括半导体材料的鳍片，所述鳍片为第一鳍片及第二鳍片；所述对的所述特征中的一者对应于所述第一鳍片，且所述对的所述特征中的另一者对应于所述第二鳍片。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一鳍片及所述第二鳍片从所述半导体材料的柱向上延伸。

7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一鳍片及所述第二鳍片分别包括第一源极/漏极区及第二源极/漏极区；且其中所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区彼此相同的导电性类型。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区为p型。

9.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区为n型。

10.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区相对于所述第二源极/漏极区为不同的导电性类型。

11.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括硅。

12.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括单晶硅。

13.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述特征延伸第一距离，且其中所述导电管延伸小于所述第一距离的第二距离。

14.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述特征延伸第一距离，其中所述导电管为在所述特征之间且各自延伸小于所述第一距离的第二距离的两个导电管中的一者；所述两个导电管为第一导电管及第二导电管；所述第一导电管与所述第二导电管通过介入间隙隔开。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其包括导电材料，所述导电材料在所述介入间隙内且将所述第一导电管以导电方式耦合到所述第二导电管。

16.根据权利要求14所述的集成组合件，其包括在所述介入间隙内的绝缘区；所述第一导电管具有在所述绝缘区的一侧上的第一终接端，且所述第二导电管具有在所述绝缘区的对置第二侧上的第二终接端。

17.根据权利要求16所述的集成组合件，其包括至少一个电互连件，所述至少一个电互连件向下延伸以与所述第一终接端及所述第二终接端中的至少一者耦合。