[发明专利]在相邻特征之间形成导电管的方法及在相邻特征之间具有导电管的集成组合件

说明书

一些实施例包含一种集成组合件，其具有通过介入空间彼此隔开的一对大致上平行特征。导电管在所述特征之间且大致上平行于所述特征。所述导电管可形成于管路内。所述管路可通过以如下方式在所述特征之间沉积绝缘材料而产生：夹断所述绝缘材料的顶部区，以使所述管路作为所述经夹断顶部区下方的空隙区。

技术领域

集成组合件及形成集成组合件的方法。在相邻特征之间形成导电管的方法。在相邻特征之间具有导电管的集成组合件。

背景技术

经图案化特征通常用于集成组合件中。在一些实例应用中，经图案化特征可为用作互连件及/或用以将合适电压(例如，VDD、VSS等)引入到集成电路的导电特征。由于可用于经图案化特征的紧密间距，在提高集成程度的情况下制造经图案化特征变得愈加困难。将需要开发用于形成经图案化特征及开发利用经图案化特征的新架构的新方法。

附图说明

图1到1B为实例集成组合件的区的视图。图1为沿着图1A及1B的横截面1-1的图解俯视图。图1A及1B分别为沿着图1的线A-A及B-B的图解横截面侧视图。

图2到5为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段处的视图。图2到5为图解俯视图。图2A到5A分别为沿着图2到5的线A-A的图解横截面侧视图。

图6为实例集成组合件的区的图解横截面侧视图。

图7到9为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段处的图解横截面侧视图。

图10到13为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段的视图。图10到13为图解俯视图。图10A到13A分别为沿着图10到13的线A-A的图解横截面侧视图。图10B到12B分别为沿着图10到12的线B-B的图解横截面侧视图。

图14到16为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段的图解俯视图。

图17到20为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段的图解俯视图。

图21到21B为实例集成组合件的区的视图。图21为沿着图21A及21B的线C-C的图解横截面俯视图。图21A及21B分别为沿着图21的线A-A及B-B的图解横截面侧视图。

图22A为实例现有技术集成电路的区的图解俯视图。

图22B为图22A的实例现有技术集成电路的示意图。

图23A为可包括图22B的现有技术布置的实例实施例集成电路的区的图解俯视图。

图23B为图22B的示意图的重复。

图24为实例集成组合件的图解横截面俯视图。

图25为实例集成组合件的图解横截面俯视图。

具体实施方式

一些实施例包含在集成组合件的特征之间形成导电管(线性结构)的方法。一些实施例包含包括导电管的集成组合件。一些实施例包含逻辑电路(例如，2NFET、2PFET电路；其中NFET是指具有n型源极/漏极区的场效应晶体管，且PFET是指具有p型源极/漏极区的场效应晶体管)。参考图1到25描述实例实施例。

参考图1到1B，集成组合件10包含一对特征12及14。所述特征展示为线性结构，其中此类线性结构沿着对应于所示出的x轴方向的第一方向延伸。所述线性特征可为笔直的(如所展示)、波浪状、弯曲的等等，且大致上彼此平行。术语“大致上平行”意指在合理的制造及测量容差内平行。