[发明专利]半导体封装用离型膜及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装用离型膜，其特征在于，

包括：

第一聚氨酯层部；以及

第二聚氨酯层部，配置于上述第一聚氨酯层部上，

上述第一聚氨酯层部在上述第二聚氨酯层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，

上述第二聚氨酯层部在上述第一聚氨酯层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，

上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。

2.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，

上述第一面通过上述第一微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度，

上述第二面通过上述第二微凹凸部具有5μm以上的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，还包括中间层部，配置于上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部之间。

4.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述中间层部为粘结层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述粘结层包含氨基甲酸乙脂类聚合物。

6.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述中间层部具有与上述第一聚氨酯层部相同的物质组成。

7.根据权利要求3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述第一聚氨酯层部与上述第二聚氨酯层部具有相同的物质组成。

8.根据权利要求1或3所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述第二聚氨酯层部与上述第一聚氨酯层部具有不同的物质组成。

9.根据权利要求8所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，

上述第二聚氨酯层部还包含无机物，

由上述无机物在上述第二聚氨酯层部的上述第二面形成上述第二微凹凸部。

10.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，上述离型膜具有30μm～120μm范围的厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体封装用离型膜，其特征在于，

上述第一聚氨酯层部的厚度为10μm～70μm，

上述第二聚氨酯层部的厚度为10μm～70μm。

12.一种半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，

包括：

在第一哑光膜上涂敷第一聚氨酯形成用溶液后由上述第一聚氨酯形成用溶液形成第一聚氨酯层部的步骤；

在第二哑光膜上涂敷第二聚氨酯形成用溶液后由上述第二聚氨酯形成用溶液形成第二聚氨酯层部的步骤；

在中间层部的介入下使形成于上述第一哑光膜的上述第一聚氨酯层部与形成于上述第二哑光膜的上述第二聚氨酯层部相互接合，形成在上述第一聚氨酯层部上依次配置上述中间层部和上述第二聚氨酯层部的接合结构的步骤；以及

从上述第一聚氨酯层部去除上述第一哑光膜，从上述第二聚氨酯层部去除上述第二哑光膜的步骤，

上述第一聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第一面，上述第一面具有用于离型性的第一微凹凸部，

上述第二聚氨酯层部在上述中间层部的相对侧具有第二面，上述第二面具有用于离型性的第二微凹凸部，

上述第一聚氨酯层部及第二聚氨酯层部包含具有交联结合的热固性聚氨酯。

13.根据权利要求12所述的半导体封装用离型膜的制备方法，其特征在于，利用卷对卷工序进行上述形成第一聚氨酯层部的步骤、上述形成第二聚氨酯层部的步骤以及上述形成接合结构的步骤。