[发明专利]压印设备

权利要求书

1.一种压印设备，其包括：

硅母版，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个都包括具有开口的凹陷部，其中其最大的开口尺寸小于约300nm；和

涂覆硅母版表面的防粘层，所述防粘层包含交联的硅烷聚合物网络。

2.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征的总数的少于约0.15％具有膜缺陷。

3.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述防粘层是用配方产生的，所述配方包含：

第一硅烷单体：

和

基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体。

4.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述防粘层涂覆每个所述凹陷部的壁，而不覆盖所述开口或不完全填充所述凹陷部。

5.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约170nm至约290nm。

6.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约200nm至约250nm。

7.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述平均间距范围为约340nm至约410nm。

8.如权利要求1所限定的压印设备，其中，所述平均间距范围为约350nm至约400nm。

9.一种方法，其包括：

在硅母版的表面上施加配方，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸都小于约300nm，所述配方包含：

第一硅烷单体：

和

基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体；和

固化所施加的配方，从而形成防粘层。

10.如权利要求9所限定的方法，其中，所述第二硅烷单体是：

11.如权利要求10所限定的方法，其中，所述配方包含约0.28重量％至约1.1重量％的第二硅烷单体。

12.如权利要求9所限定的方法，其中，所述配方进一步包含：

i)包含所述第一硅烷单体的两个键合单元的二聚体；

ii)包含所述第一硅烷单体的三个键合单元的三聚体；

iii)包含所述第一硅烷单体的多于三个键合单元的高分子物质；

iv)具有至少一个水解的乙氧基的第一硅烷单体；或

v)i)、ii)、iii)和iv)的任意组合。

13.如权利要求9所限定方法，其中，固化包括：

培育过程；

培育过程后的漂洗过程；和

漂洗过程后的加热过程。

14.如权利要求13所限定的方法，其中，所述培育过程和加热过程独立地在范围为约20℃至约250℃的温度下进行，持续范围为约1分钟至约30分钟的时间。

15.如权利要求9所限定的方法，其进一步包括通过以下产生所述配方：

将包含第一硅烷单体和第二硅烷单体的纯硅烷材料在第一溶剂中稀释，以形成前体溶液；

将所述前体溶液暴露于碱性水溶液中，以产生水相和有机相，其中所述有机相包含所述第一溶剂；

除去所述水相；

从所述有机相中除去所述第一溶剂，以得到纯化的硅烷材料；和

将所述纯化的硅烷材料在第二溶剂中稀释。