[发明专利]压印设备

说明书

一种压印设备，其包括硅母版和涂覆硅母版的防粘层。硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个都包括具有开口的凹陷部，其中其最大的开口尺寸小于约300nm。所述防粘层包含交联的硅烷聚合物网络。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年3月27日提交的序列号为63/000,964的美国临时申请的权益，该申请的内容通过引用整体并入本文。

背景技术

纳米压印技术可使纳米结构的制造经济且有效。纳米压印光刻技术通过具有纳米结构的印模应用抗蚀材料的直接机械变形。抗蚀材料被固化，而印模在原位，以锁定抗蚀材料中的纳米结构的形状。

纳米压印光刻技术已被用于制造可用于各种应用的图案化基材。一些图案化基材包括流体通道和离散的井孔或凹陷部。这些图案化基材可被构建成流动池。在一些流动池中，活性表面化学被引入离散的凹陷部中，而围绕离散的凹陷部的间隙区域保持惰性。这些流动池可能对各种分子(例如脱氧核糖核酸(DNA))、分子家族、基因表达水平或单核苷酸多态性的检测和评估特别有用。

引言

在第一方面，一种压印设备包括硅母版(silicon master)，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个都包括具有开口的凹陷部，其中其最大的开口尺寸小于约300nm；和涂覆硅母版表面的防粘层，所述防粘层包含交联的硅烷聚合物网络。

在第一方面的一个实施例中，所述多个特征的总数的少于约0.15％具有膜缺陷。

在第一方面的一个实施例中，所述防粘层是由包含以下的配方产生：第一硅烷单体：

和基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体。

在第一方面的一个实施例中，所述防粘层涂覆每个所述凹陷部的壁，而不覆盖所述开口或不完全填充所述凹陷部。

在第一方面的一个实施例中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约170nm至约290nm。

在第一方面的一个实施例中，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸范围为约200nm至约250nm。

在第一方面的一个实施例中，所述平均间距范围为约340nm至约410nm。

在第一方面的一个实施例中，所述平均间距范围为约350nm至约400nm。

应理解的是，本文公开的压印设备的任何特征可以以任何期望的方式和/或配置组合在一起，以实现本公开内容所描述的益处，包括例如在使用压印设备制造的工作印模中产生小的、高分辨率特征和/或促进由压印设备制造的工作印模的清洁释放。

在第二方面，一种方法包括在硅母版上施加一种配方，所述硅母版包括以小于约425nm的平均间距设置的多个特征，所述多个特征中的每一个的最大开口尺寸都小于约300nm，所述配方包含：第一硅烷单体：

和基于所述配方中存在的硅烷总量，少于约1.4重量％的包含可水解氯化物基团的第二硅烷单体；和固化所施加的配方，从而形成防粘层。

在第二方面的一个实施例中，第二硅烷单体是：

在这些实施例中的一些实施例中，所述配方包含约0.28重量％至约1.1重量％的第二硅烷单体。