[发明专利]用于芯片卡双面电路的电化学金属化方法及用该方法获得的电路在审
申请号: | 202180036188.3 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN115668213A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 尼古拉斯·米查德特;蒂埃里·杜蒙特 | 申请(专利权)人: | 兰克森控股公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨青;郭翠霞 |
地址: | 法国芒*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 双面 电路 电化学 金属化 方法 获得 | ||
1.一种用于具有接触式和非接触式通信的芯片卡双面电路(3)的电化学金属化方法,其中提供柔性介电基板(20),所述柔性介电基板(20)包括正面(6)及背面(7),所述正面(6)具有触片(5)及电连接于至少一些触片(5)的电流引线(4),所述背面(7)具有天线(8)及连接片(51、52),其中一些连接片(51)专用于将芯片(100)连接于所述触片(5),而其他连接片(52)专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8),所述方法包括以下操作:在至少一些所述连接片(51、52)上电化学沉积至少一层导电材料(60),同时经由电流引线(4)向这些所述连接片(51、52)提供电流,通过所述触片(5)及金属化孔(40)在所述正面(6)及所述背面(7)之间建立电连续性,其特征在于,所述方法包括,在电化学沉积至少一层导电材料(60)的操作之后,将至少一个所述金属化孔(40)从专用于将芯片(100)连接于天线(8)的连接片(52)电隔离的操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述电化学沉积至少一层所述导电材料(60)的操作期间,使用至少两个金属化孔(40)将内部天线连接片(52)及外部天线连接片(52)金属化,在所述电化学沉积所述至少一层导电材料(60)之后的操作中,将这两个所述金属化孔(40)中的至少一个从所述内部及外部天线连接片(52)电隔离。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在所述电化学沉积至少一层所述导电材料(60)的操作期间,使用连接于两个单独的连接片(51、52)的、正面(6)上的一个且相同的触片(5),通过所述两个金属化孔(40)向所述两个连接片(51)供电,然后将所述两个金属化孔(40)中的至少一个从每个所述连接片(51、52)电隔离。
4.根据前述权利要求中一项所述的方法,其中通过使用激光束,实现将所述至少一个金属化孔(40)从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的所述连接片(52)电隔离的操作。
5.根据前述权利要求所述的方法,其中所述激光束在将所述金属化孔(40)连接于专用于将所述芯片(100)连接于天线(8)的连接片(52)的导电区域的表面上移动,而不离开所述表面,所述激光束移动环绕所述金属化孔(40),以将所述金属化孔(40)从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的所述连接片(52)的其余部分隔离开。
6.用于具有接触式及非接触式通信的芯片卡的双面电路,包括具有正面(6)及背面(7)的柔性介电基板(3)、位于所述正面(6)上的触点(5)及电流引线(4),位于所述背面(7)上的天线(8)及连接片(51、52);其中一些所述连接片(51)专用于将上述芯片(100)连接于所述触片(5),其他的所述连接片(52)专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8);其特征在于,它包括关闭至少两个金属化孔(40)的至少一个触片(5),其中一个所述金属化孔(40)连接于专用于将上述芯片(100)连接于所述触片(5)的连接片(51),并且这些所述金属化孔(40)中的另一个从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的天线连接片(52)电隔离。
7.根据前述权利要求所述的电路,其中所述天线(8)的外部连接片(52)通过所述两个金属化孔(40)电连接于天线(8),所述两个金属化孔(40)由位于所述正面(6)的导电迹线关闭。
8.根据权利要求6所述的电路,其中,所述天线(8)的所述外部连接片(52)通过所述触片(5)电连接于所述天线(8)。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的电路,其中,所述天线(8)围绕所述芯片(100)的紧固区域相对应的中心区域形成至少一个环路,并且其中所有所述接触连接片和所述天线连接片(51、52)在所述天线的一个所述环路内位于所述中心区域周围。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的电路,其中从所有所述连接片(51、52)电隔离的至少一个所述金属化孔(40)被隔离区(90)环绕,所述隔离区由激光束产生的磨蚀导致。
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