[发明专利]包括铝粉的导热电磁干扰EMI吸收体在审
申请号: | 202180037066.6 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN115669248A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 贾森·L·斯特拉德 | 申请(专利权)人: | 莱尔德技术股份有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H05K7/20;H01L23/373;H01L23/552 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 游雷;赵鹏 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 导热 电磁 干扰 emi 吸收体 | ||
1.一种导热电磁干扰EMI吸收体,该导热EMI吸收体包括基础或基质材料以及在所述基础或基质材料中的至少一种填料,其中,所述至少一种填料包括足以增强所述导热EMI吸收体的性能的预定量的铝粉。
2.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:
所述至少一种填料还包括碳化硅、氧化锌、羰基铁、钴、镍、碳、石墨和/或氧化铝;并且/或者
所述基础或基质材料包括有机硅树脂和/或蜡。
3.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中,所述基础或基质材料中的总填料用量为至少约1重量%至约95重量%,包括足以增加所述导热EMI吸收体的介电常数以及在高于3千兆赫的频率下每行进距离的衰减的所述预定量的所述铝粉。
4.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有以下中的至少一个或更多个:
在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;
在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;
在约3千兆赫的频率下约0.04的损耗角正切;以及
在18千兆赫及以上的频率下高于100分贝/厘米的衰减。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,在约18千兆赫的频率下,所述导热EMI吸收体具有:
约50的电容率Dk;
大于约0.5的损耗角正切;以及
大于约100分贝/厘米的衰减。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有:
至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;
在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;
在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及
在18千兆赫及以上的频率下高于100分贝/厘米的衰减。
8.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:
所述基础或基质材料包括有机硅树脂;
所述至少一种填料包括与包括碳化硅的至少一种其它填料在所述有机硅树脂中共混的所述铝粉;并且
所述导热EMI吸收体具有:
至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;
在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;
在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及
在18千兆赫及以上的频率下大于100分贝/厘米的衰减。
9.根据权利要求8所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体是可分配导热EMI吸收体。
10.根据权利要求8或9所述的导热EMI吸收体,其中:
在所述有机硅树脂中铝与碳化硅之比为约1.1:1;并且
在所述有机硅树脂中所述铝粉和所述碳化硅的总填料用量为至少约90重量%。
11.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:
所述基础或基质材料包括有机硅树脂;
所述至少一种填料包括与包括氧化锌的至少一种其它填料在所述有机硅树脂中共混的所述铝粉;并且
所述导热EMI吸收体具有:
至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;
在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;
在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及
在18千兆赫及以上的频率下大于100分贝/厘米的衰减。
12.根据权利要求11所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体是相变热界面材料。
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