[发明专利]包括铝粉的导热电磁干扰EMI吸收体在审

专利信息
申请号: 202180037066.6 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN115669248A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 贾森·L·斯特拉德 申请(专利权)人: 莱尔德技术股份有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H05K7/20;H01L23/373;H01L23/552
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 游雷;赵鹏
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包括 导热 电磁 干扰 emi 吸收体
【权利要求书】:

1.一种导热电磁干扰EMI吸收体,该导热EMI吸收体包括基础或基质材料以及在所述基础或基质材料中的至少一种填料,其中,所述至少一种填料包括足以增强所述导热EMI吸收体的性能的预定量的铝粉。

2.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:

所述至少一种填料还包括碳化硅、氧化锌、羰基铁、钴、镍、碳、石墨和/或氧化铝;并且/或者

所述基础或基质材料包括有机硅树脂和/或蜡。

3.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中,所述基础或基质材料中的总填料用量为至少约1重量%至约95重量%,包括足以增加所述导热EMI吸收体的介电常数以及在高于3千兆赫的频率下每行进距离的衰减的所述预定量的所述铝粉。

4.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有以下中的至少一个或更多个:

在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;

在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;

在约3千兆赫的频率下约0.04的损耗角正切;以及

在18千兆赫及以上的频率下高于100分贝/厘米的衰减。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,在约18千兆赫的频率下,所述导热EMI吸收体具有:

约50的电容率Dk;

大于约0.5的损耗角正切;以及

大于约100分贝/厘米的衰减。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体具有:

至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;

在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;

在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及

在18千兆赫及以上的频率下高于100分贝/厘米的衰减。

8.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:

所述基础或基质材料包括有机硅树脂;

所述至少一种填料包括与包括碳化硅的至少一种其它填料在所述有机硅树脂中共混的所述铝粉;并且

所述导热EMI吸收体具有:

至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;

在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;

在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及

在18千兆赫及以上的频率下大于100分贝/厘米的衰减。

9.根据权利要求8所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体是可分配导热EMI吸收体。

10.根据权利要求8或9所述的导热EMI吸收体,其中:

在所述有机硅树脂中铝与碳化硅之比为约1.1:1;并且

在所述有机硅树脂中所述铝粉和所述碳化硅的总填料用量为至少约90重量%。

11.根据权利要求1所述的导热EMI吸收体,其中:

所述基础或基质材料包括有机硅树脂;

所述至少一种填料包括与包括氧化锌的至少一种其它填料在所述有机硅树脂中共混的所述铝粉;并且

所述导热EMI吸收体具有:

至少约3.0瓦特/米/开尔文的热导率;

在低于约20千兆赫的频率下至少10的电容率Dk;

在高于12千兆赫的频率下大于约0.15的损耗角正切;以及

在18千兆赫及以上的频率下大于100分贝/厘米的衰减。

12.根据权利要求11所述的导热EMI吸收体,其中,所述导热EMI吸收体是相变热界面材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莱尔德技术股份有限公司,未经莱尔德技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180037066.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top