[发明专利]量测辐射系统中的高压和真空水平传感器

说明书

提供了用于测量极紫外(EUV)辐射系统中的辐射燃料的水平的系统、装置和方法。在一个示例中，一种用于测量燃料水平的方法包括：以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口。该方法还可以包括：在与观察端口相邻定位的传感器处，接收检查射束的由辐射燃料的顶部表面反射的一部分。此外，该方法可以包括：测量与辐射燃料的顶部表面相距的距离；并且基于所测量的距离来计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月29日提交的题为“量测辐射系统中的高压和真空水平传感器(HIGH PRESSURE AND VACUUM LEVEL SENSOR IN METROLOGY RADIATION SYSTEMS)”的美国申请号63/032,187的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于在光刻过程中使用的极紫外(EUV)辐射系统内输送源材料以制造半导体器件的供给机构。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在该实例中，图案形成装置(其可以为掩模或掩模版)可以用于生成要正在被形成的IC的各个层上形成的电路图案，并且该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。转印图案通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底将包含经过接连图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过由给定方向(扫描方向)上的辐射射束扫描图案来照射每个目标部分，同时沿平行于该扫描方向的方向或沿平行于扫描方向并且与扫描方向相对的方向对目标部分进行同步扫描。通过将图案压印到衬底上，还可以将图案从图案形成装置转印到衬底。

极紫外线(“EUV”)光(例如，电磁辐射，其波长为约50纳米(nm)或更小(有时也被称为软X射线)并且包括波长为约13nm的光)可以用于光刻装置或与该光刻装置一起使用，以在诸如例如硅晶片之类的衬底中产生极小特征。产生EUV光的方法包括但不必局限于使用EUV范围内的发射线将具有元素(例如，氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一种这样的方法中，可以通过使用可以被称为驱动激光器的经放大光束照射形式为微滴、板、带、流或材料簇的目标材料来产生通常被称为激光产生等离子体(“LPP”)的等离子体，该目标材料在LPP源的上下文中可互换地被称为燃料。对于该过程，通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生等离子体，并且使用各种类型的量测设备对该等离子体进行监测。

在传统的锡基辐射源容器内部，许多功能(诸如保护性氢气(H2)、热屏蔽和精密护罩安装)也必须允许量测视场(FOV)和微滴路径间隙，同时防止Sn堆积。而且，当前系统不能以适当方式监测可用于向EUV微滴生成器供应源材料的源。因而，需要改进源的可用性并且消除与缺乏对微滴生成器(DGen)的高质量源供应器(例如，Sn供应器)相关联的停机时间。

发明内容

本公开描述了用于在极紫外(EUV)辐射系统中提供光学量测的系统、装置和方法的各个方面以及各种其他方面。更具体地，本公开描述了一种内联再填充(IR)系统，该IR系统允许连续监测高纯度Sn并且将高纯度Sn连续供应到微滴生成器组件(DGA)中。

根据一个方面，一种用于测量燃料供给水平的方法包括：以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口。该方法还可以包括：在与观察端口相邻定位的传感器处，接收检查射束的由辐射燃料的顶部表面反射的一部分。在其他方面中，该方法包括：测量从传感器到辐射燃料的顶部表面的距离；以及基于所测量的距离，计算燃料箱中的辐射燃料的填充水平。