[发明专利]加压用吸附台和具备该加压用吸附台的加压装置在审
申请号: | 202180039945.2 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN115699292A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 冈本健儿 | 申请(专利权)人: | 日立造船株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加压 吸附 具备 装置 | ||
本发明提供加压用吸附台和具备该加压用吸附台的加压装置。加压用吸附台(1)包括:多孔体(2),具有能承载对象物(O)的吸附面(20);弹性构件(3),直接设置于多孔体(2);以及框体(5),通过弹性构件(3)支承多孔体(2)。在多孔体(2)与框体(5)之间形成有吸引空间(4)。加压用吸附台(1)具备吸引器(6),吸引器(6)通过对吸引空间(4)进行吸引,从而能将对象物(O)吸附于吸附面(20)。多孔体(2)具有位于吸附面(20)的相反侧的相反面(21)。框体(5)具有承接面(51),在由于对承载于吸附面(20)的对象物(O)朝向吸附面(20)的加压而使弹性构件(3)弹性变形时,承接面(51)承接相反面(21)。加压用吸附台(1)构成为在相反面(21)被承接面(51)承接时,从多孔体(2)朝向被加压的对象物(O)均匀地产生反作用力。
技术领域
本发明涉及加压用吸附台和具备该加压用吸附台的加压装置。
背景技术
吸附台具有承载薄膜等对象物的吸附面,通过从该吸附面吸引对象物,从而将该对象物吸附于吸附面。被吸附于吸附面的对象物以平坦状保持于吸附面。然后,如果停止所述吸引,则解除了对所述对象物的保持,从而该对象物成为仅承载于吸附面的状态、即适合于将该对象物移动到其他位置的状态。
作为这样的吸附台的改善方案,如日本特开2005-205507号公报(以下称为专利文献1)所记载的那样,提出有将被保持的对象物可靠地保持成平坦状的结构。另外,如日本特开平5-344284号公报(以下称为专利文献2)所记载的那样,还提出有适合于拍摄保持于吸附台的对象物的结构。
但是,在所述专利文献1记载的结构中,如该专利文献1的图4和图5所示,在对象物(半导体晶片W)的下方隔着承载部11存在有凸部18a,因此如果从上方对该对象物加压,则该对象物产生由于加压而引起的压力不均。具体而言,在对象物的位于凸部18a的上方的部分,对象物由于加压而受到的压力比其他部分高。如果产生这样的压力不均,则对象物的加压引起加工精度降低。因此,所述专利文献1记载的结构不适用于加压。
另外,在所述专利文献2记载的结构中,如该专利文献2的图3所示,承载对象物(掩膜)的多孔板41配置在平坦的玻璃板42上,因此能够抑制前述的加压引起的压力不均。但是,在所述专利文献2记载的结构中,从安装于多孔板41的侧面的喷嘴44进行吸引,因此在接近该侧面的位置亦即多孔板41的外周部,吸引产生的吸附力比其他部分高,产生吸附不均。在这种情况下,不能将该对象物适当地保持于多孔板41。因此,所述专利文献2记载的结构也不适用于加压。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种加压用吸附台和具备该加压用吸附台的加压装置,能将对象物保持在适合加压的状态。
为了解决上述课题,第1发明的加压用吸附台包括:多孔体,具有能承载对象物的吸附面;弹性构件,直接或间接地设置于所述多孔体;框体,通过所述弹性构件支承多孔体;吸引空间,形成于所述多孔体与框体之间;以及吸引器,能够通过对所述吸引空间进行吸引而将对象物吸附于吸附面,所述多孔体具有位于所述吸附面的相反侧的相反面,所述框体具有承接面,在由于对承载于所述吸附面的对象物朝向所述吸附面进行加压而使弹性构件弹性变形时,所述承接面承接相反面,所述加压用吸附台构成为在所述相反面被承接面承接时,从多孔体朝向被加压的对象物均匀地产生反作用力。
另外,第2发明的加压用吸附台在第1发明的加压用吸附台的基础上,所述多孔体的相反面以及框体的承接所述相反面的承接面均平坦,所述框体具有与吸引空间连通的吸引口,所述吸引口形成于所述承接面以外的位置,所述吸引器与所述吸引口连接。
此外,第3发明的加压用吸附台在第1或第2发明的加压用吸附台的基础上,多孔体具有侧面,所述多孔体的侧面和相反面面向所述吸引空间。
而且,第4发明的加压用吸附台在第1或第2发明的加压用吸附台的基础上,弹性构件是与所述框体呈一体且安装于多孔体的构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造