[发明专利]真空排气系统的清洗装置在审

专利信息
申请号: 202180045029.X 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN115917147A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 桦泽刚志 申请(专利权)人: 埃地沃兹日本有限公司
主分类号: F04B37/16 分类号: F04B37/16;F04D19/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李婷;吴强
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 真空 排气 系统 清洗 装置
【说明书】:

提供一种能够防止在真空泵的下游处堆积物再附着的真空排气系统的清洗装置。具备:能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生的冷却阱(13);配设在冷却阱(13)的上游的至少一个的第一真空泵(11);连接第一真空泵(11)和冷却阱(13)的至少一个的第一配管(21);配设在冷却阱(13)的下游的至少一个的第二真空泵(16);连接第二真空泵(16)和冷却阱(13)的至少一个的第二配管(22),将第一真空泵(11)和第一配管(21)的至少一部分加热到升华成分的升华温度以上,并且将冷却阱(13)冷却到升华成分的升华温度以下。

技术领域

本发明涉及例如使用了涡轮分子泵等的真空排气系统的清洗装置。

背景技术

一般而言,作为真空泵的一种,公知有涡轮分子泵。该涡轮分子泵中,利用向泵本体内的马达的通电令旋转翼旋转,将吸入到泵本体的气体(工艺气体)的气体分子弹飞从而将气体排气。此外,在这样的涡轮分子泵中,有为了适宜地管理泵内的温度而具备加热器及冷却管的类型。

专利文献】

【专利文献1】日本特开2011-80407号公报。

本发明所要解决的课题

但是,在上述的涡轮分子泵那样的真空泵中,有时被移送的气体内的物质析出。例如用于半导体制造装置的蚀刻工艺的气体根据压缩吸入到泵本体的气体(工艺)而慢慢地升高压力的过程中排气流路的温度变得低于升华温度的条件,有令副反应生成物在真空泵及配管内部析出而堵塞排气流路的情况。此外,在对从泵的吸气口吸引的气体在泵内部进行压缩的过程中,有时吸引的气体超过从气体向固体相变化的压力,在泵内部相变化为固体。其结果,有时在泵内部堆积作为副反应生成物的固体而由于该堆积物产生不良。而且,为了去除析出的副反应生成物而需要清扫真空泵、配管。此外,根据状况,需要进行真空泵、配管的修理、新品的更换。而且,为了进行这些检修的作业,有时需要暂时令半导体制造装置停止。进而,检修的期间有时根据状况持续数周以上。

此外,在以往的真空泵中存在为了防止副反应生成物附着在内部而具备在作为通常动作的排气动作中利用加热器提高内部的排气路径的温度的功能的真空泵(专利文献1)。在专利文献1公开的发明中,泵的排气流路中,通过加热下游侧而提高吸入的气体的升华压力而令其为气相区域,防止在泵内部堆积副反应生成物而堵塞排气流路。为了避免在这样的加热时在真空泵的构成零件产生热导致的膨胀、变形等而零件彼此接触,需要对其上升温度(加热的目标温度)设置限制,进行温度管理而令温度不会上升到设定值以上。

此外,本申请人提出了一种真空泵,具备在真空泵未被用于半导体制造等的工艺的待机状态中加热真空泵的气体流路而将堆积物气体化除去的功能(也称为“清洁功能”、“清洁模式”等)(日本特愿2019-165839号)。根据这样的真空泵,能够在真空泵的待机时间中去除堆积物,所以无需在工艺中总是将气体流路保持为高温。因此,能够扩大真空泵中的允许流量。

而且,如果考虑该类型的真空泵、组装有真空泵的排气系统的进一步的改良,则可以想到清洁时被加热的气体在配置于更下游(下级)的真空泵及配管等的设备中流动时,气体的温度降低而堆积物会再附着于下游侧的设备的内部。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够防止堆积物在真空泵的下游发生再附着的真空排气系统的清洗装置。

解决课题的手段

(1)为了实现上述目的,本发明为一种真空排气系统的清洗装置,

所述真空排气系统具有:

能够冷却含有升华成分的气体而令堆积物产生的冷却阱、

配置在前述冷却阱的上游的至少一个的第一真空泵、

连接前述第一真空泵和前述冷却阱的至少一个的第一排气路径、

配置在前述冷却阱的下游的至少一个的第二真空泵、

连接前述第二真空泵和前述冷却阱的至少一个的第二排气路径,

将前述气体排气,

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