[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其对基板进行处理；

基板保持部，其将多个所述基板装载为多层；

等离子体生成部，其在所述处理室内生成等离子体；以及

磁场产生部，其在所述处理室内产生磁场。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁场产生部在所述基板的中央部附近产生磁场。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板保持部装载多个所述基板和隔热板，该隔热板在中央部设有所述磁场产生部。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁场产生部埋入于所述隔热板。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板和所述隔热板交替地配置于所述基板保持部。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述隔热板以夹着多个所述基板的方式保持于所述基板保持部。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述隔热板由绝缘材料构成。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁场产生部由磁性体构成，该磁性体具有比所述基板的处理温度高的居里温度。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述等离子体生成部设置于所述处理室的外部。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁场产生部由设置于所述处理室内的磁性体金属和与该磁性体金属连接的强磁性体构成。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁性体金属设置在装载所述基板的方向上。

12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁性体金属被保护管覆盖。

13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述磁场产生部设置在与设置有所述等离子体生成部的位置对置的位置。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

具备加热装置，该加热装置对所述基板进行加热。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

将基板搬入基板处理装置的所述处理室的工序，该基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板保持部，其将多个所述基板装载为多层；等离子体生成部，其在所述处理室内生成等离子体；以及磁场产生部，其在所述处理室内产生磁场；以及

在所述处理室内生成等离子体的工序。

16.一种程序，其特征在于，通过计算机使所述基板处理装置执行以下步骤：

将基板搬入基板处理装置的所述处理室的步骤，该基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板保持部，其将多个所述基板装载为多层；等离子体生成部，其在所述处理室内生成等离子体；以及磁场产生部，其在所述处理室内产生磁场；以及

在所述处理室内生成等离子体的步骤。