[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序

说明书

本发明提供一种技术，其具有：处理室，其对基板进行处理；基板保持部，其将多个基板装载为多层；等离子体生成部，其在处理室内生成等离子体；以及磁性体，其在处理室内产生磁场。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。

背景技术

在半导体装置的制造工序之一中，有时进行如下基板处理：对于搬入到基板处理装置的处理室内的基板，利用等离子体活化并供给原料气体、反应气体等，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或者除去各种膜。例如，在专利文献1中，在反应管内设置有生成等离子体的缓冲室。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-106415号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本公开的目的在于提供一种能够向基板供给以高效率生成的等离子体活性种气体的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开的一个方案，提供一种技术，其具备：

处理室，其对基板进行处理；

基板保持部，其将多个所述基板装载为多层；

等离子体生成部，其在所述处理室内生成等离子体；以及

磁性体，其在所述处理室内产生磁场。

发明效果

根据本公开，能够提供一种能够向基板供给以高效率生成的等离子体活性种气体的技术。

附图说明

图1是在本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。

图2是在本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是用图1的A-A线剖视图表示处理炉部分的图。

图3的(a)是用于说明在本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的缓冲构造的横截面放大图。图3的(b)是用于说明在本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的缓冲构造的示意图。

图4是在本公开的实施方式中优选使用的基板处理装置的控制器的概略结构图，是以框图表示控制器的控制系统的图。

图5是本公开的实施方式的基板处理工序的流程图。

图6的(a)是本发明的实施方式中优选使用的具有磁性体的隔热板的主视图，(b)是说明(a)所示的磁性体的磁场的示意图。

图7是在本公开的另一实施方式中优选使用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以与图2同样的剖视图表示的图。

具体实施方式

＜本公开的实施方式＞

以下，主要参照图1至图7对本公开的一个实施方式进行说明。另外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。

(1)基板处理装置的结构

(加热装置)

如图1所示，基板处理装置所使用的处理炉202是能够在垂直方向多层地收纳基板的所谓的立式炉，具有作为加热装置(加热机构)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过被作为保持板的加热器基座(未图示)支承而垂直地安装。加热器207也作为如后述那样使气体因热而活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。