[发明专利]接合装置、接合系统以及接合方法在审
申请号: | 202180048136.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN115769341A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 稻益寿史;牧哲也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 系统 以及 方法 | ||
1.一种接合装置,用于将基板之间进行接合,所述接合装置具备:
第一保持部,其用于从第一基板的上方吸附保持所述第一基板;
第二保持部,其用于从第二基板的下方吸附保持所述第二基板;
移动部,其用于使所述第一保持部和所述第二保持部中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动;
壳体,其收容所述第一保持部、所述第二保持部以及所述移动部;
干涉仪,其配置于所述壳体的内部,所述干涉仪通过对所述一方的保持部或与所述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到所述一方的保持部或所述物体的水平距离;
第一气体供给部,其用于对所述壳体的内部供给被清洁化后的第一气体;以及
第二气体供给部,其用于对被照射所述光的所述一方的保持部或所述物体与所述干涉仪之间的空间供给第二气体。
2.根据权利要求1所述的接合装置,其特征在于,
所述第二气体供给部相对于所述光路平行地以覆盖所述光的光路的方式喷出所述第二气体。
3.根据权利要求2所述的接合装置,其特征在于,
所述干涉仪沿与所述第一气体供给部喷出所述第一气体的喷出方向交叉的方向照射所述光,
所述第二气体供给部沿所述交叉的方向喷出所述第二气体。
4.根据权利要求3所述的接合装置,其特征在于,
所述第一气体供给部设置于所述壳体的侧面,沿第一水平方向喷出所述第一气体,
所述干涉仪沿与所述第一水平方向正交的第二水平方向照射所述光,
所述第二气体供给部沿所述第二水平方向喷出所述第二气体。
5.根据权利要求3所述的接合装置,其特征在于,
所述第一气体供给部设置于所述壳体的上表面,沿铅垂方向喷出所述第一气体。
6.根据权利要求2至5中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
所述第二气体供给部具备:
收容部,其收容所述干涉仪;
导入部,其用于对所述收容部导入所述第二气体;以及
喷嘴,其设置于所述收容部,用于喷出从所述导入部导入到所述收容部的所述第二气体,
其中,所述干涉仪从所述收容部的内部经由所述喷嘴照射所述光。
7.根据权利要求6所述的接合装置,其特征在于,
所述喷嘴具备:
第一开口,其供所述光通过;以及
环状的第二开口,其设置为包围所述第一开口,
其中,所述第二气体供给部从所述第二开口喷出所述第二气体。
8.根据权利要求7所述的接合装置,其特征在于,
所述喷嘴具备沿着所述第一气体的喷出方向延伸的开口。
9.根据权利要求8所述的接合装置,其特征在于,
所述干涉仪从所述开口的下游侧照射所述光。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
所述第二气体供给部以比从所述第一气体供给部喷出的所述第一气体的风速快的风速喷出所述第二气体。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的接合装置,其特征在于,
所述第一气体供给部具备测定所述第一气体的温度的第一温度测定部,
所述第二气体供给部具备调整所述第二气体的温度的第二温度调整部,
所述接合装置还具备控制部,所述控制部基于所述第一温度测定部的测定结果来控制所述第二温度调整部,由此将所述第二气体的温度调整为与所述第一气体的温度相同的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造