[发明专利]接合装置、接合系统以及接合方法在审
申请号: | 202180048136.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN115769341A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 稻益寿史;牧哲也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 系统 以及 方法 | ||
基于本公开的接合装置(41、41A、41B)用于将基板之间进行接合,所述接合装置具备第一保持部(110)、第二保持部(120)、移动部(130)、壳体(100)、干涉仪(160、170)、第一气体供给部(140、140B)以及第二气体供给部(180、180A)。第一保持部(110)用于从第一基板(W1)的上方吸附保持第一基板(W1)。第二保持部(120)用于从第二基板(W2)的下方吸附保持第二基板(W2)。移动部(130)用于使第一保持部(110)和第二保持部(120)中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动。壳体(100)收容第一保持部(110)、第二保持部(120)以及移动部(130)。干涉仪(160、170)配置于壳体(100)的内部,干涉仪(160、170)通过对上述一方的保持部或与上述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到上述一方的保持部或物体的水平距离。第一气体供给部(140、140B)用于对壳体(100)的内部供给被清洁化后的第一气体。第二气体供给部(180、180A)用于对被照射光的上述一方的保持部或上述物体与干涉仪(160、170)之间的空间供给第二气体。
技术领域
本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法。
背景技术
以往,为了响应半导体器件的高集成化的要求,提出使用将半导体器件三维地层叠的三维集成技术。作为使用该三维集成技术的系统,例如已知有一种将半导体晶圆等基板之间进行接合的接合技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2018/088094号
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种在将基板之间进行接合的接合技术中能够提高基板之间的接合精度的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的接合装置用于将基板之间进行接合,所述接合装置具备第一保持部、第二保持部、移动部、壳体、干涉仪、第一气体供给部以及第二气体供给部。第一保持部用于从第一基板的上方吸附保持第一基板。第二保持部用于从第二基板的下方吸附保持第二基板。移动部用于使第一保持部和第二保持部中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动。壳体收容第一保持部、第二保持部以及移动部。干涉仪配置于壳体的内部,所述干涉仪通过对所述一方的保持部或与所述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到所述一方的保持部或所述物体的水平距离。第一气体供给部用于对壳体的内部供给被清洁化后的第一气体。第二气体供给部用于对被照射光的所述一方的保持部或所述物体与干涉仪之间的空间供给第二气体。
发明的效果
根据本公开,在将基板之间进行接合的接合技术中,能够提高基板之间的接合精度。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。
图2是示出实施方式所涉及的第一基板与第二基板接合前的状态的示意图。
图3是实施方式所涉及的接合装置的俯视图。
图4是实施方式所涉及的接合装置的侧视图。
图5是实施方式所涉及的第一保持部和第二保持部的侧视图。
图6是实施方式所涉及的第二气体供给部的立体图。
图7是实施方式所涉及的第二气体供给部的侧剖截面图。
图8是示出实施方式所涉及的接合系统执行的处理过程的流程图。
图9是变形例所涉及的第二气体供给部的立体图。
图10是变形例所涉及的第二气体供给部的侧剖截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造