[发明专利]导电互连件

权利要求书

1.一种包括从导电结构向上延伸的导电互连件的集成组合件；所述导电互连件包含：

第一导电材料，其被配置成向上打开容器形状；和

第二导电材料，其在所述向上打开容器形状的内部区内；所述第一导电材料和所述第二导电材料主要包括彼此相同的金属且在平均粒径和污染物浓度中的一个或两个方面彼此不同。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一导电材料的所述向上打开容器形状为第一向上打开容器形状；其中所述第二导电材料被配置成第二向上打开容器形状；且其中第三材料在所述第二向上打开容器形状的内部区内。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第一内衬，且包括所述第二导电材料与所述第三导电材料之间的第二内衬。

4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述第三导电材料主要包括与所述第一导电材料和所述第二导电材料相同的所述金属；且其中所述第一内衬和所述第二内衬包括组合物，所述组合物包括与氧组合的所述相同金属。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电互连件具有沿着横截面的水平宽度，且其中所述第一导电材料包括所述导电互连件的所述水平宽度的约2％到约90％。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电互连件具有沿着横截面的水平宽度，且其中所述第一导电材料包括所述导电互连件的所述水平宽度的约2％到约40％。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述相同金属包含钨、钴和镍中的一或多种。

8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述相同金属为钨。

9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在平均粒径方面彼此不同。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述第一导电材料的所述平均粒径大于所述第二导电材料的所述平均粒径。

11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中：

所述第一导电材料的所述平均粒径在约所述第一导电材料的厚度到约所述第一导电材料的所述厚度的6倍范围内；且

所述第二导电材料的所述平均粒径在约所述第二导电材料的厚度的0.1倍到约所述第二导电材料的所述厚度范围内。

12.根据权利要求10所述的集成组合件，其中：

所述第一导电材料的所述平均粒径在约30nm到约200nm范围内；且

所述第二导电材料的所述平均粒径在约5nm到约100nm范围内。

13.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在污染物浓度方面彼此不同。

14.根据权利要求13所述的集成组合件，其中污染物包含Si、B和卤化物中的一或多种。

15.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述污染物包含F，且其中所述第二导电材料相较于所述第一导电材料具有更高的所述F的浓度。

16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述第二导电材料内所述F的所述浓度为所述第一导电材料的所述F的所述浓度的至少约10倍。

17.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述第二导电材料内所述F的所述浓度在约所述第一导电材料的所述F的所述浓度的10倍到约所述第一导电材料的所述F的所述浓度的1000倍范围内。