[发明专利]导电互连件在审
申请号: | 202180048829.7 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN116018890A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | J·D·格林利;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;J·D·霍普金斯;罗双强;陈松凯;方景韦;A·金达;郭杰贤 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H10B43/20 | 分类号: | H10B43/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 江泰維 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 互连 | ||
一些实施例包含导电互连件,其包含第一和第二导电材料且从导电结构向上延伸。一些实施例包含具有导电互连件的集成组合件。
本申请要求2020年8月7日申请的美国专利申请第16/988,422号的优先权和权益,所述美国专利申请的公开内容以引入的方式并入本文中。
技术领域
集成组合件(例如,集成存储器)。形成集成组合件的方法。导电互连结构。形成导电互连结构的方法。
背景技术
存储器提供用于电子系统的数据存储装置。快闪存储器是一种类型的存储器,且大量用于现代计算机和装置中。例如,现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例,越来越常见的是,计算机和其它装置利用呈固态硬盘的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例,快闪存储器在无线电子装置中普及,这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议,且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。
NAND可为快闪存储器的基本架构,且可被配置成包括竖直堆叠的存储器单元。
在具体地描述NAND之前,可能有帮助的是更一般化地描述集成布置内的存储器阵列的关系。图1展示包含以下各项的现有技术装置1000的框图:存储器阵列1002,其具有布置成行和列的多个存储器单元1003;以及存取线1004(例如,用以传导信号WL0到WLm的字线);和第一数据线1006(例如,用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用于将信息传送到存储器单元1003及从其传送信息。行解码器1007和列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定要存取存储器单元1003中的哪些存储器单元。感测放大器电路1015用以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从存储器单元1003读取或待写入到所述存储器单元中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020与装置1000通信。存储器控制单元1018用以控制待对存储器单元1003执行的存储器操作,并且利用控制线1020上的信号。装置1000可分别在第一电源线1030上和第二电源线1032上接收供应电压信号Vcc和Vss。装置1000包含选择电路1040和输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017对信号CSEL1到CSELn作出响应以选择第一数据线1006和第二数据线1013上的信号,所述信号可表示待从存储器单元1003读取或待被编程到所述存储器单元中的信息的值。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号选择性地启动CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可选择第一数据线1006和第二数据线1013上的信号以在读取和编程操作期间在存储器阵列1002与I/O电路1017之间实现通信。
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