[发明专利]配线结构、其制造方法和成像装置在审
申请号: | 202180049087.X | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN115956286A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 桥口日出登;三桥生枝 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 制造 方法 成像 装置 | ||
提供了一种具有优良操作可靠性的配线结构。该配线结构具有:多条配线,每条配线在第一方向上延伸并且在与第一方向垂直的第二方向上并排设置;以及第一绝缘膜,覆盖多条配线并且具有存在于夹在第二方向上彼此相邻的多条配线之间的间隙区域中的间隙。在本文中,间隙具有由仅包括一条曲线的轮廓线限定的截面形状,或者由包括在两个或多个连接部处连接的至少一条曲线和至少一条之间直线并且在连接部处在曲线之间、在直线之间或者曲线与之间具有至少90°夹角的轮廓线限定的截面形状。
技术领域
本公开涉及在配线之间具有间隙的配线结构、包括该配线结构的成像装置和制造配线结构的方法。
背景技术
在成像装置中,随着半导体集成电路元件的小型化,用于元件之间和元件内部连接的多条配线之间的间隔变窄。通过使多条配线之间的间隔变窄来增加配线之间的电容。因此,例如,在专利文献1的半导体装置中,通过在配线之间形成间隙(气隙)来减小配线之间的电容。
引用列表
专利文献
PTL1:日本未经审查专利申请公开第2008-193104号
发明内容
顺便提及,期望包括多条配线的配线结构和包括该配线结构的成像装置长期具有高操作可靠性。因此,期望提供具有优异操作可靠性的配线结构和成像装置以及配线结构的制造方法。
根据本公开的实施例的配线结构包括:多条配线,每条配线在第一方向上延伸并且在与第一方向正交的第二方向上并排设置;以及第一绝缘膜,覆盖多条配线并且具有存在于夹在在第二方向上彼此相邻的多条配线之间的间隙区域中的间隙。在本文中,间隙具有由仅包括一条曲线的轮廓线限定的截面形状,或者由包括在两个或多个连接部处连接的一条或多条曲线和一条或多条直线并且在连接部处在曲线之间、在直线之间或者在在曲线与直线之间的具有90°或更大夹角的轮廓线限定的截面形状。
附图说明
[图1A]图1A是根据本公开的实施例的配线结构在垂直方向上的截面配置的示例的示意图。
[图1B]图1B是图1A中示出的截面配置的一部分的放大示意图。
[图2A]图2A是图1A中示出的配线结构在水平方向上的截面配置的示例的示意图。
[图2B]图2B是在水平方向上的图1A中示出的配线结构的截面配置的另一实例的示意图。
[图3A]图3A是制造图1中所示的配线结构的处理的实例的示意性截面图。
[图3B]图3B是图3A之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3C]图3C是图3B之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3D]图3D是图3C之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3E]图3E是图3D之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3F]图3F是图3E之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3G]图3G是图3F之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图3H]图3H是继图3G之后的制造处理的实例的示意性截面图。
[图4]图4是示出根据本公开的实施方式的成像元件在垂直方向上的截面配置的实例的示图。
[图5]图5是示出在图4中示出的成像元件的示意性配置的实例的示图。
[图6]图6是应用于在图4中示出的成像元件的在图1中示出的配线结构的示图。
[图7]图7是示出了图5中所示的传感器像素和读出电路的实例的示图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180049087.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造