[发明专利]具有冷却能力的固态功率放大器

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

功率源；

放大器，所述放大器连接至所述功率源，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者，并且所述放大器被配置成放大从所述功率源接收的输入信号的功率水平以加热处理容积中的基板；以及

冷却板，所述冷却板被配置成接收冷却剂以在操作期间冷却所述放大器。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述处理腔室是脱气处理腔室。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述放大器是提供从约800W至约1000W的功率的固态功率放大器(SSPA)。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述功率源被配置成以从约5.0GHz至约7.0GHz的频率来提供功率。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述放大器包括功率分配器或功率组合器中的至少一者。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述冷却剂是冷却水。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述冷却板包括多个冷却通道，所述多个冷却通道被配置成允许所述冷却剂在所述冷却板内流动。

8.如权利要求1至7中任一项所述的处理腔室，进一步包括控制器，所述控制器与所述放大器通信并且被配置成控制所述冷却剂通过所述多个冷却通道的流动。

9.如权利要求1至7中任一项所述的处理腔室，其中所述冷却板设置在所述放大器下方。

10.一种用于在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

使用放大器来放大从功率源接收的输入信号的功率水平，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者；

将放大的信号输出到设置在所述处理容积的处理容积中的基板支撑件以加热基板；以及

将冷却剂供应到设置在所述放大器上的冷却板以在操作期间冷却所述放大器。

11.如权利要求10所述的方法，其中在脱气处理腔室中执行处理所述基板。

12.如权利要求10所述的方法，其中放大所述输入信号的所述功率水平包括以下步骤：使用提供从约800W至约1000W的功率的固态功率放大器(SSPA)。

13.如权利要求10所述的方法，其中供应功率包括以下步骤：以从约5.0GHz至约7.0GHz的频率来供应功率。

14.如权利要求10所述的方法，其中供应功率包括以下步骤：使用功率分配器或功率组合器中的至少一者。

15.如权利要求10所述的方法，其中循环所述冷却剂包括以下步骤：循环液体或气体中的一者。

16.如权利要求10所述的方法，其中循环所述冷却剂包括以下步骤：循环所述冷却剂通过多个冷却通道，所述多个冷却通道被配置成允许所述冷却剂在所述冷却板内流动。

17.如权利要求10至16中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：使用与所述放大器通信的控制器来控制所述冷却剂通过所述多个冷却通道的流动。

18.如权利要求10至16中任一项所述的方法，其中所述冷却板设置在所述放大器下方。