[发明专利]具有冷却能力的固态功率放大器

说明书

用于处理基板的方法和设备。例如，处理腔室可包括：功率源；放大器，所述放大器连接至功率源，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者，并且所述放大器被配置成放大从功率源接收的输入信号的功率水平以加热处理容积中的基板；以及冷却板，所述冷却板被配置成接收冷却剂以在操作期间冷却放大器。

技术领域

本公开的实施例总体涉及固态功率放大器(SSPA)。更具体地，本公开的实施例涉及使用包括具有液体冷却能力的SSPA的处理腔室以用于处理基板的方法和设备。

背景技术

配置为与基板处理腔室(例如，用于芯片封装)一起使用的常规SSPA和行波管放大器(TWTA)是已知的。然而，此类放大器可能非常大、具有高功耗、和/或产生大量噪声和/或热。

发明内容

本文提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，设备可包括处理腔室，所述处理腔室包括：功率源；放大器，所述放大器连接至功率源，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者，并且所述放大器被配置成放大从功率源接收的输入信号的功率水平以用于加热处理容积中的基板；以及冷却板，所述冷却板被配置成接收冷却剂以在操作期间用于冷却放大器。

根据至少一些实施例，用于在处理腔室中处理基板的方法可包括以下步骤：使用放大器来放大从功率源接收的输入信号的功率水平，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者；将放大的信号输出到设置在处理容积的处理容积中的基板支撑件以加热基板；以及将冷却剂供应到设置在放大器上的冷却板以在操作期间冷却放大器。

根据至少一些实施例，非瞬时计算机可读存储介质具有存储于其上的指令，所述指令在被执行时使处理器执行用于在处理腔室中处理基板的方法。用于在处理腔室中处理基板的所述方法可包括以下步骤：使用放大器来放大从功率源接收的输入信号的功率水平，所述放大器包括氮化镓(GaN)晶体管或砷化镓(GaAs)晶体管中的至少一者；将放大的信号输出到设置在处理容积的处理容积中的基板支撑件以加热基板；以及将冷却剂供应到设置在放大器上冷却板以在操作期间冷却放大器。

以下描述本公开的其他和进一步的实施例。

附图说明

可通过参考在附图中描绘的本公开的说明性实施例来理解上面简要概括并在下面更详细地讨论的本公开的实施例。然而，附图仅图示了本公开的典型实施例并且因此不应被认为是对范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施例。

图1是根据本公开的至少一些实施例的处理腔室的示意性横截面视图。

图2是根据本公开的至少一些实施例的SSPA的示意图。

图3是根据本公开的至少一些实施例的晶体管配置的图。

图4是根据本公开的至少一些实施例的设置在冷却板上的SSPA的侧视图。

图5是根据本公开的至少一些实施例的用于处理基板的方法的流程图。

为了便于理解，尽可能地使用相同的附图标记来表示附图共有的相同要素。附图未按比例绘制并且为了清楚起见可能被简化。一个实施例的要素和特征可有益地并入其他实施例，而无需进一步叙述。

具体实施方式

本文提供了使用包括具有液体冷却能力的SSPA的处理腔室的方法和设备的实施例。本公开的一个或多个实施例针对将SSPA集成到一个或多个处理腔室中。例如，SSPA可包括氮化镓(GaN)晶体管、砷化镓(GaAs)晶体管等，并且可包括液体冷却板。在至少一些实施例中，处理腔室可被配置成用于三维芯片封装，例如，凸块下金属化(UMB)、再分布层(RDL)、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用等。本文描述的处理腔室使用相对紧凑的高功率SSPA，可使用冷却板来冷却所述高功率SSPA，从而在操作期间提供低功耗、低散热和低噪声产生。