[发明专利]层叠体及剥离剂组合物

权利要求书

1.一种层叠体，其特征在于，具备：

半导体基板；

支承基板；

设为与所述半导体基板相接的剥离层；以及

设于所述支承基板与所述剥离层之间的粘接层，

所述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，

所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×10³Pa·s～0.75×10³Pa·s，

所述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，

所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.00×10³Pa·s～0.80×10³Pa·s。

3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，

所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为4.52×10³Pa·s～0.96×10³Pa·s。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，

所述膜的厚度为0.25μm～3.75μm。

5.根据权利要求4所述的层叠体，其中，

所述膜的厚度为1.75μm～2.75μm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，

所述粘接层设为与所述支承基板和所述剥离层相接。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其中，

所述粘接层是使用包含粘接剂成分S的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分S包含选自聚有机硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺系粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的层叠体，其中，

所述粘接剂成分S包含聚有机硅氧烷系粘接剂。

9.根据权利要求8所述的层叠体，其中，

所述聚有机硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分A。

10.一种剥离剂组合物，其是用于形成层叠体的剥离层的剥离剂组合物，

所述层叠体具备：半导体基板；支承基板；设为与所述半导体基板相接的剥离层；以及设于所述支承基板与所述剥离层之间的粘接层，作为所述剥离层的膜的厚度为0.01μm～4.90μm，

所述剥离剂组合物包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分，所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×10³Pa·s～0.75×10³Pa·s。

11.根据权利要求10所述的剥离剂组合物，其中，

所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.00×10³Pa·s～0.80×10³Pa·s。

12.根据权利要求11所述的剥离剂组合物，其中，

所述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为4.52×10³Pa·s～0.96×10³Pa·s。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的剥离剂组合物，其中，

所述膜的厚度为0.25μm～3.75μm。

14.根据权利要求13所述的剥离剂组合物，其中，

所述膜的厚度为1.75μm～2.75μm。

15.根据权利要求10～14中任一项所述的剥离剂组合物，其中，

所述粘接层设为与所述支承基板和所述剥离层相接。