[发明专利]层叠体及剥离剂组合物

说明书

一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×10³Pa·s～0.75×10³Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

技术领域

本发明涉及一种层叠体及剥离剂组合物。

背景技术

就以往在二维的平面方向上集成而得的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)进行接线并集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，以这样的情况不会发生的方式容易地拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，由于研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。

在这样的状况下，需要以下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)(例如专利文献1、2)。

再者，半导体晶片经由例如由金属的导电性材料构成的凸块球(bump ball)与半导体芯片电连接，通过使用这样的具备凸块球的芯片，能谋取半导体封装的小型化。

凸块球通常由焊料等金属构成，因此对压力等负荷弱，例如有时由于半导体设备的制造过程中的接合时的载荷而变形(例如参照专利文献3)。

在这样的问题存在的情况下，随着近来半导体领域的进展，对抑制半导体设备的制造过程中的压力等负荷引起的凸块球变形的技术的期望变高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004－64040号公报

专利文献2：日本特开2012－106486号公报

专利文献3：国际公开2018/083964号公报

专利文献4：日本特开2013－179135号公报

专利文献5：美国2012/0329249号公报

专利文献6：国际公开2012/118700号公报

专利文献7：日本特开2014－146793号公报

专利文献8：国际公开2015/190438号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明鉴于上述状况而完成，其目的在于，提供一种具备剥离层的层叠体和提供适合作为这样的剥离层的膜的剥离剂组合物，上述剥离层在半导体基板与支承基板接合时、半导体基板的背面加工时等的耐热性优异，并且能抑制半导体设备制造时等的压力等负荷引起的半导体基板的损伤。

用于解决问题的方案