[发明专利]具有围绕凸块的共形管芯边缘图案的电容器内插层（CIL）小芯片设计

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装，包括：

芯片，具有前侧表面和与所述前侧表面相对的背侧表面，所述前侧表面具有多个凸块位点；以及

多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯包括集成无源器件，所述多个管芯具有共形管芯边缘图案以使得能够将所述多个管芯中的每个管芯的前侧表面放置在所述芯片的所述前侧表面上的所述多个凸块位点的预定部分上。

2.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯包括内插小芯片。

3.根据权利要求2所述的集成电路(IC)封装，其中，所述内插小芯片包括深沟槽电容器(DTC)。

4.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯包括电容器内插层(CIL)小芯片。

5.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯包括沿着所述共形管芯边缘图案的密封环。

6.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯包括：

管芯衬底；

在所述管芯衬底内的电容器内插层；

在所述电容器内插层和所述管芯衬底上的重分布层；以及

在所述重分布层上的凸块下金属化层。

7.根据权利要求6所述的集成电路(IC)封装，还包括模制化合物，所述模制化合物在所述重分布层的表面和所述管芯衬底的侧壁上。

8.根据权利要求6所述的集成电路(IC)封装，其中，所述管芯衬底包括多个穿衬底过孔。

9.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述芯片包括应用处理器(AP)芯片或片上系统(SOC)。

10.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述芯片包括射频集成电路(RFIC)芯片。

11.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯的所述共形管芯边缘图案包括圆形的管芯边缘。

12.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯的所述共形管芯边缘图案包括弯曲的管芯边缘。

13.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯的所述共形管芯边缘图案包括与接近所述弯曲的管芯边缘的凸块位点对应的弯曲的管芯边缘。

14.根据权利要求1所述的集成电路(IC)封装，其中，所述多个管芯的所述共形管芯边缘图案包括互连线段，所述互连线段具有零度(0°)角、四十五度(45°)角、一百三十五度(135°)角和九十度(90°)角。

15.一种用于制造芯片的方法，包括：

制造多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯包括集成无源器件；

根据所述多个管芯的共形管芯边缘图案，等离子体蚀刻所述多个管芯；以及

将所述多个管芯放置并且附接在所述芯片的前侧表面上的多个凸块位点的预定部分上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，制造所述多个管芯包括在所述多个管芯的内插层内形成深沟槽电容器。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，制造所述多个管芯包括：

在管芯衬底内形成电容器内插层；

在所述电容器内插层和所述管芯衬底上形成重分布层；以及

在所述重分布层上形成凸块下金属化层。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括将模制化合物沉积在所述重分布层的表面和所述管芯衬底的侧壁上。