[发明专利]存储器子字驱动器布局

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

子字驱动器块的第一区域，所述第一区域包括：

作用区；及

多个第一晶体管，其形成于所述作用区上，所述晶体管中的每一者包含：

栅极；及

漏极及源极，其在平面图中分别安置于所述栅极的相对侧上，其中所述漏极及源极中的一者耦合到子字驱动器中的第一对应者的输出且所述漏极及源极中的另一者耦合到所述子字驱动器中的第二对应者的输出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管中的每一者的所述栅极耦合到相应字驱动器线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括与所述作用区重叠以形成多个第二晶体管的多个栅极电极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述多个栅极电极中的每一者耦合到相应主字线。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有相同导电类型。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中来自所述多个第一晶体管的第一晶体管定位于来自所述多个第二晶体管的第二晶体管与来自所述多个第二晶体管的第三晶体管之间，其中所述第二及第三晶体管的所述栅极分别包括来自所述多个栅极电极的第一栅极电极及第二栅极电极。

7.根据权利要求6所述的半导体，其中所述第一栅极电极耦合到第一主字线且所述第二栅极电极耦合到第二主字线。

8.根据权利要求7所述的半导体，其中：

所述第一晶体管及所述第二晶体管彼此邻近以共享耦合到所述存储器单元阵列的第一字线的第一接触件；且

所述第一晶体管及所述第三晶体管彼此邻近以共享耦合到所述存储器单元阵列的第二字线的第二接触件。

9.根据权利要求8所述的半导体，其中进一步包括来自所述多个第二晶体管的第四晶体管，其中所述第四晶体管邻近所述第二晶体管以与所述第二晶体管共享第三接触件，且其中所述第三接触件耦合到非作用电势。

10.根据权利要求3所述的半导体，其进一步包括子字驱动器块的第二区域，所述第二区域邻近第一区且包括：

作用区；及

多个第三晶体管，其形成于所述作用区及所述多个栅极电极的相应栅极电极上；

其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有第一导电类型且所述第三晶体管具有第二导电类型。

11.根据权利要求10所述的半导体，其中所述第一导电类型是n沟道类型且所述第二导电类型是p沟道类型。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二区域包括第一子区及第二子区，其中所述第一区域经安置于所述第二区域的第二区的所述第一与第二子区之间。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一区域包括第一子区及第二子区，其中所述第二区域经安置于所述第一区域的所述第一区的所述第一与第二子区之间。

14.一种设备，其包括：

第一类型的多个作用区；

多个第一栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第一晶体管；及

多个第二栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第二晶体管，其中所述第二栅极电极中的每一者定位于来自所述多个第一栅极电极的相应第一栅极电极与第二栅极电极之间，

其中来自所述多个第一栅极电极的所述第一栅极电极及所述第二栅极电极分别耦合到第一及第二主字线。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述多个作用区中的作用区在所述第二栅极电极中的相应者重叠的区段处界定凹部。