[发明专利]存储器子字驱动器布局

说明书

在一些实例中，存储器装置的子字驱动器块包含第一类型的多个作用区及邻近所述第一类型的所述多个作用区的第二类型的多个作用区。所述子字驱动器块进一步包含：多个第一栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第一晶体管；及多个第二栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第二晶体管。由第一子字驱动器及第二子字驱动器共享所述第二晶体管中的每一者。所述第二晶体管中的每一者可包含分别耦合到分别通过所述第一子字驱动器及所述第二子字驱动器驱动的第一及第二字线的漏极及源极。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2020年8月28日申请的第17/006,730号美国专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容出于所有目的以引用的方式并入本文中。

背景技术

半导体存储器装置(例如动态随机存取存储器(DRAM))包含具有安置于字线与位线之间的相交点处的存储器单元的存储器单元阵列。半导体存储器装置可包含阶层结构化主字线(MWL)及字线。主字线通过相应主字驱动器驱动且定位于上阶层处，且通过行地址的第一部分选择。字线通过相应子字驱动器驱动且定位于下阶层处，且基于通过行地址的第二部分选择的对应主字线及字驱动器线(FX)进行选择。

归因于半导体制造中的阵列存取装置的按比例缩小，期望减少存储器装置中的晶体管的数目。举例来说，减少子字驱动器中的晶体管的数目及/或改进其布局设计在减小存储器装置的裸片大小方面已成为可期望的。

发明内容

根据本文公开的实施例中的至少一些的系统、方法、设备及装置可比常规子字驱动器减少存储器裸片大小。举例来说，将邻近子字驱动器中的共同晶体管放置于邻近子字驱动器的输出之间，所述配置将子字驱动器块中的晶体管的数目从每子字驱动器平均三个晶体管减少到每子字驱动器2.5个晶体管。此晶体管数目减少可使布局空间减少。此外，具有布线的布线安排及放置的子字驱动器块的布局的各种配置可减少布局设计中的复杂性及空间浪费。

根据本公开的至少一个实施例，一种半导体装置可包含：子字驱动器块的第一区域，所述第一区域包括：作用区；及多个第一晶体管，其形成于所述作用区上，所述晶体管中的每一者包含：栅极及漏极与源极，其在平面图中分别安置于所述栅极的相对侧上，其中所述漏极及源极中的一者耦合到子字驱动器中的第一对应者的输出且所述漏极及源极中的另一者耦合到所述子字驱动器中的第二对应者的输出。

根据本公开的至少一个实施例，一种设备可包含：第一类型的多个作用区；多个第一栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第一晶体管；及多个第二栅极电极，其与所述第一类型的所述多个作用区重叠以形成多个第二晶体管，其中所述第二栅极电极中的每一者定位于来自所述多个第一栅极电极的相应第一栅极电极与第二栅极电极之间，其中来自所述多个第一栅极电极的所述第一栅极电极及所述第二栅极电极分别耦合到第一及第二主字线。

根据本公开的至少一个实施例，一种设备可包含：第一类型的作用区；第一栅极电极，其与所述第一类型的所述作用区重叠以形成第一子字驱动器的第一晶体管；及第二栅极电极，其与所述第一类型的所述作用区重叠以形成第二子字驱动器的第二晶体管；及第三栅极电极，其与所述第一类型的所述作用区重叠以形成第三晶体管，其中第三栅极电极定位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间，其中由所述第一及第二子字驱动器共享所述第三晶体管。

附图说明

图1是根据本公开中描述的一些实例的半导体装置的框图。

图2是根据本公开中描述的一些实例的半导体装置的存储体的实例配置的图式。

图3是根据本公开中描述的一些实例的存储体的一部分的示意图。

图4是子字驱动器及存储器单元的示意图。

图5是根据本公开中描述的一些实例的以级联连接耦合的实例子字驱动器的示意图。