[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤；和

对所述基片实施低分子化处理的步骤，其中，所述低分子化处理一边将所述加强材维持为固体状态，一边使所述加强材中含有的分子间的键合数减少。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在实施所述低分子化处理时，使所述加强材中含有的分子间的键合数减少至所述加强材比所述凹凸图案更容易升华的程度。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

还包括使被实施了所述低分子化处理的所述加强材升华而将其除去的步骤。

4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

所述使加强材升华而将其除去的步骤，包括通过将所述基片放置在被减压了的空间而使所述加强材升华的步骤。

5.如权利要求3或4所述的基片处理方法，其特征在于：

所述使加强材升华而将其除去的步骤，包括对所述加强材实施使用等离子体的蚀刻处理的步骤。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述替换为加强材的步骤包括：

通过对所述基片的表面供给处理液，将所述凹部内的液体替换为该处理液的步骤；和

使所述处理液干燥而在所述凹部内形成所述加强材的步骤。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

所述凹凸图案包含多个所述凹部，

所述对基片的表面供给所述处理液的步骤，包括在多个所述凹部内分别残留有液体的状态下，开始对所述基片的表面供给所述处理液的步骤。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述凹凸图案是通过对进行了曝光处理的抗蚀剂膜实施显影处理而形成的抗蚀剂图案，

所述低分子化处理包括对于所述抗蚀剂图案和所述加强材供给热能和能量线中的至少一者的步骤。

9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图案含有通过在所述低分子化处理中被供给热能和能量线中的至少一者，能够促进基于脱水缩合的交联的材料。

10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：

所述显影处理包括通过将所述抗蚀剂膜中的在所述曝光处理中被曝光了的区域除去，来形成所述抗蚀剂图案的步骤，

在所述低分子化处理中，使所述加强材中含有的分子间的键合数减少并且使包含所述抗蚀剂图案的表面的区域的蚀刻耐性提高。

11.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：

所述抗蚀剂图案含有随着所述低分子化处理中的热能和能量线中的至少一者的供给而促进交联的交联剂。

12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述加强材包含聚合物，所述聚合物含有聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸、聚乙烯醇、紫外线固化树脂和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一者。

13.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

替换处理部，其将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材；和

对所述基片实施低分子化处理的低分子化处理部，其中，所述低分子化处理一边将所述加强材维持为固体状态、一边使所述加强材中含有的分子间的键合数减少。