[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

专利文献1中公开有一种将在表面形成有凹凸图案的基片上的液体除去而使基片干燥的基片干燥方法(基片处理方法)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-243869号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供对凹凸图案的图案倒塌的抑制有效的基片处理方法和基片处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤；和对基片实施低分子化处理的步骤，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态，一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。

发明效果

依照本发明，能够提供对凹凸图案的图案倒塌的抑制有效的基片处理方法和基片处理装置。

附图说明

图1是例示基片处理系统的概略结构的示意图。

图2是例示涂敷显影装置的内部结构的示意图。

图3是例示显影单元的结构的示意图。

图4是例示照射单元的结构的示意图。

图5是例示等离子体处理装置的结构的示意图。

图6是例示控制装置的功能结构的框图。

图7是例示控制装置的硬件结构的框图。

图8是表示显影处理流程的一例的流程图。

图9的(a)～图9的(d)是用于说明显影处理流程的一例中的凹部内的情形的示意图。

图10是表示加强材中含有的聚合物的化学式的一例的图。

图11的(a)是用于说明曝光处理的一例中的曝光的情形的示意图。图11的(b)是用于说明变形例的显影处理流程的一例的示意图。

图12的(a)和图12的(b)是用于说明显影处理流程的一例的示意图。

图13是用于说明显影处理流程的一例的示意图。

图14是用于说明变形例的显影处理流程的另一例的示意图。

具体实施方式

以下，对各种例示的实施方式进行说明。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

[基片处理系统]