[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180057533.1 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN116034471A 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 大森谦伍 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;范胜杰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

半导体装置(10)具有:第一开关元件(30A);驱动器(40),其在z方向上相对于第一开关元件(30A)被错开地配置,并驱动第一开关元件(30A);第一树脂层(50A),其密封第一开关元件(30A);以及第一控制用过孔导体(81),其在z方向上贯通第一树脂层(50A),并将第一开关元件(30A)与驱动器(40)电连接。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

以往,已知有利用密封树脂对多个半导体元件进行密封而封装化的半导体装置。例如专利文献1的半导体装置是利用密封树脂对开关元件和驱动开关元件的驱动器进行密封的结构。开关元件是晶体管,其具有控制焊盘电极(栅极电极)。驱动器具有与控制焊盘电极电连接的焊盘电极。开关元件的控制焊盘电极和驱动器的焊盘电极通过键合线(bondingwire)连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2011-198891号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而,在通过键合线将开关元件的控制焊盘电极与驱动器的焊盘电极连接时,导线形成为弯曲凸状,因此,难以缩短导线的长度。因此,难以缩短开关元件的控制焊盘电极与驱动器的焊盘电极之间的导电路径,关于该导电路径的长度所引起的电感降低,还有改善的余地。

本公开的目的在于提供一种能够降低电感的半导体装置。

用于解决课题的手段

解决上述课题的半导体装置,具有:开关元件;以及树脂层,其至少密封所述开关元件,所述半导体装置中将所述树脂层的厚度方向作为高度方向,所述半导体装置具有:驱动器,其在所述半导体装置的高度方向上相对于所述开关元件被错开地配置,并驱动所述开关元件;以及控制用过孔导体,其在所述半导体装置的高度方向上贯通所述树脂层,并将所述开关元件与所述驱动器电连接。

根据该结构,开关元件和驱动器在半导体装置的高度方向上被错开地配置,控制用过孔导体在半导体装置的高度方向上贯通树脂层,由此,开关元件和驱动器电连接。由此,与开关元件和驱动器被配置在同一平面上且两者通过导线连接的结构相比,开关元件与驱动器之间的导电路径容易变短。因此,能够降低由导电路径的长度引起的电感。

发明效果

根据上述半导体装置,能够降低电感。

附图说明

图1是表示一实施方式的半导体装置的立体构造的立体图。

图2是搭载了图1的半导体装置的开关元件的基板的俯视图。

图3是图1的半导体装置的背面图。

图4是搭载了图1的半导体装置的驱动器的树脂层的俯视图。

图5是图4的半导体装置的5-5线的剖视图。

图6是图4的半导体装置的6-6线的剖视图。

图7是图4的半导体装置的7-7线的剖视图。

图8是图4的半导体装置的8-8线的剖视图。

图9是表示图1的半导体装置的电路结构的一例的电路图。

图10是对一实施方式的半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。

图11是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。

图12是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。

图13是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。

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