[发明专利]半导体器件的电极部及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的电极部的制造方法，其特征在于，包括：

准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤；

在所述杂质添加区域上形成第一金属层的步骤；

在所述第一金属层上形成第二金属层的步骤；以及

对包括所述第一金属层和所述第二金属层的所述半导体基片进行加热的步骤，

所述杂质添加区域含有硅，

所述第一金属层含有钽，

所述第二金属层含有钛，

通过所述进行加热的步骤，

在所述杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在所述第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。

2.一种半导体器件的电极部的制造方法，其特征在于，包括：

准备具有杂质添加区域和形成于所述杂质添加区域上的氧化膜的半导体基片的步骤；

在所述杂质添加区域上隔着所述氧化膜形成第一金属层的步骤；

在所述第一金属层上形成第二金属层的步骤；和

对包括所述第一金属层和所述第二金属层的所述半导体基片进行加热的步骤，

所述杂质添加区域含有硅，

所述氧化膜含有二氧化硅，

所述第一金属层含有高熔点金属，所述高熔点金属含有选自钽、钨和钼中的至少一者，

所述第二金属层含有钛，

通过所述进行加热的步骤，在所述半导体基片上形成含有钛、所述高熔点金属和硅的第一硅化物层，在所述第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层，在所述第二硅化物层上形成氧化钛层。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的电极部的制造方法，其特征在于：

所述杂质添加区域中的杂质是硼。

4.一种半导体器件的电极部，其特征在于，包括：

位于杂质添加区域上且含有钛、钽和硅的第一硅化物层；以及

位于所述第一硅化物层上且含有钛和硅的第二硅化物层。

5.一种半导体器件的电极部，其包括：

位于杂质添加区域上且含有钛、高熔点金属和硅的第一硅化物层；

位于所述第一硅化物层上且含有钛和硅的第二硅化物层；以及

位于所述第二硅化物层上的氧化钛层，

所述高熔点金属含有选自钽、钨和钼中的至少一者。

6.如权利要求4或5所述的半导体器件的电极部，其特征在于：

所述杂质添加区域中的杂质为硼。