[发明专利]半导体器件的电极部及其制造方法

说明书

半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进行加热的步骤。杂质添加区域含有硅。第一金属层含有钽。第二金属层含有钛。通过进行加热的步骤，在杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。

技术领域

本发明的例示性实施方式涉及半导体器件的电极部及其制造方法。

背景技术

金属与硅结合而成的硅化物被用作半导体器件的电极部的材料。专利文献1～专利文献9公开了这样的硅化物。另外，专利文献10公开了在硅化钛层中添加硼(B)的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-527111号公报

专利文献2：日本特开2006-186326号公报

专利文献3：日本特开2000-349169号公报

专利文献4：日本特开平9-321280号公报

专利文献5：日本特开平9-171969号公报

专利文献6：日本特开平5-315286号公报

专利文献7：日本特开平3-209773号公报

专利文献8：日本特开平5-182982号公报

专利文献9：美国专利第7518921号说明书

专利文献10：美国专利第5721175号说明书

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供抑制半导体器件的电极部中的接触电阻增加的技术。

用于解决技术问题的技术方案

在一个例示性实施方式中，提供一种半导体器件的电极部的制造方法。半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进行加热的步骤。杂质添加区域含有硅。第一金属层含有钽。第二金属层含有钛。通过上述进行加热的步骤，在杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。

发明效果

依照一个例示性实施方式，能够抑制半导体器件的电极部中的接触电阻增加。

附图说明

图1的(a)、图1的(b)、图1的(c)和图1的(d)是用于说明第一实施方式的半导体器件的电极部的制造方法的图。

图2的(a)、图2的(b)、图2的(c)和图2的(d)是用于说明第二实施方式的半导体器件的电极部的制造方法的图。

图3的(a)、图3的(b)和图3的(c)是用于说明比较例的半导体器件的电极部的制造方法的图。

图4的(a)、图4的(b)、图4的(c)和图4的(d)是表示比较例中的从基片表面起的深度D(nm)与杂质浓度Ci(cm^-3)的关系的图表。

图5的(a)、图5的(b)、图5的(c)、图5的(d)、图5的(e)、图5的(f)和图5的(g)是用于说明例示性实施方式的具有电极部的半导体器件的第一制造方法的图。