[发明专利]用于自母模复制可挠性印模的组合件在审

专利信息
申请号: 202180059519.5 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN116134377A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: L·W·威尔德森;J·M·特尔默伦;B·J·蒂图莱尔 申请(专利权)人: 莫福托尼克斯控股有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 徐国栋;林柏楠
地址: 荷兰费*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 复制 可挠性 印模 组合
【权利要求书】:

1.一种包含用于压印微结构及纳米结构的母模的组合件,所述母模配置在基板载体上且在其上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述母模具有厚度dmaster,所述组合件进一步包含一组框架件,所述框架件安装在所述基板载体上并环绕所述母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平,其中所述框架件具有厚度dframe,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster偏差最多250μm。

2.根据权利要求1的组合件,其中所述母模是按比例放大的母模,所述按比例放大的母模由多数拼接的母模单元所组成,所述母模单元在它们的上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述拼接的母模单元的上表面总共形成所述按比例放大的母模的上表面。

3.根据权利要求2的组合件,其中所述组框架件另外包含中间框架件,所述中间框架件安装在所述基板载体上并配置于拼接的母模单元之间,且沿着毗邻所述中间框架件的拼接母模单元的侧面边缘齐平。

4.根据权利要求1至3中一项或多项的组合件,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster不同。

5.根据权利要求1至5中一项或多项的组合件,其中所述框架件具有至少5mm的宽度。

6.根据权利要求1至6中一项或多项的组合件,其中所述框架件在它们的表面上具有光学可探测的浮凸结构,所述浮凸结构指向与所述母模的上表面相同的方向中。

7.根据权利要求1至7中一项或多项的组合件,其中环绕所述母模的外周边配置的框架件被塑形及定向,使得每一框架件的两相邻边缘形成所述母模的两相邻边缘的外推部。

8.根据权利要求1至8中一项或多项的组合件,其中所述母模的外周边具有非正方形及非矩形的轮廓,且塑形及配置环绕所述母模的外周边配置的框架件,使得它们与所述母模毗邻的边缘在形状及尺寸上相适应,以顺着所述母模的周边轮廓,而所述框架件使它们的外缘形成正方形或矩形。

9.根据权利要求2或3的组合件,其中所述按比例放大的母模由拼接形的母模单元所组成,其中相邻母模的毗邻边缘彼此平行,且其中形成所述母模的母模单元配置成使得所述母模单元之间的接合线仅具有母模单元之间的连接点,在此处聚集相邻母模单元的最多三个转角。

10.一种框架件在用于制造可挠性印模的压印方法中的用途,其中所述可挠性印模是由在其上表面具有有效区域的母模复制,所述有效区域具有用于微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述母模具有厚度dmaster,其中所述框架件环绕所述母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平,其中所述框架件具有厚度dframe,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster偏差最多250μm,且其中所述母模及框架件安装在基板载体上并与所述基板载体相异。

11.根据权利要求10的框架件的用途,其中所述母模是按比例放大的母模,所述按比例放大的母模由多数拼接的母模单元所组成,所述母模单元在它们的上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述拼接的母模单元的上表面总共形成所述按比例放大的母模的上表面,且所述框架件至少环绕所述按比例放大的母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平。

12.根据权利要求10或11的框架件的用途,用于控制所述可挠性印模的厚度,其中所述框架件的厚度dframe比所述母模的厚度dmaster大最多250μm。

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