[发明专利]用于选择性蚀刻硅-锗材料的组合物及其用途和方法

权利要求书

1.一种用于在包含硅的层存在下选择性蚀刻包含硅锗合金(SiGe)的层的组合物，所述组合物包含：

(a)5至15重量％的氧化剂；

(b)5至20重量％的包含氟离子源的蚀刻剂；

(c)0.001至3重量％的式S1的第一选择性增强剂

和

(d)水；

其中

R^S1选自X^S-OH和Y^S-(CO)-OH；

R^S2选自(i)R^S1、(ii)H、(iii)C₁至C₁₀烷基、(iv)C₁至C₁₀烯基、(v)C₁至C₁₀炔基和(vi)-X^S1-(O-C₂H₃R^S6)_m-OR^S6；

R^S6选自H和C₁至C₆烷基；

X^S选自直链或支链C₁至C₁₀烷二基、直链或支链C₂至C₁₀烯二基、直链或支链C₂至C₁₀炔二基和-X^S1-(O-C₂H₃R⁶)_m-；

Y^S选自化学键和X^S；

X^S1是C₁至C₆烷二基；

m是1至10的整数。

2.根据权利要求1的组合物，其中所述氧化剂选自过氧化物，优选过氧化氢。

3.根据权利要求1或2的组合物，其中所述氧化剂以7至13重量％，优选8至12重量％的量存在。

4.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中所述蚀刻剂选自氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、氟化三乙醇铵、氟化二甘醇铵、氟化甲基二乙醇铵、四甲基氟化铵、三乙胺三氢氟酸盐、氟硼酸、四氟硼酸、四氟硼酸铵、氟乙酸、氟乙酸铵、三氟乙酸、氟硅酸、氟硅酸铵、四氟硼酸四丁基铵及其混合物，优选氟化氢。

5.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中所述蚀刻剂以8至18重量％，优选12至16重量％的量存在。

6.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中第一选择性增强剂以如下量存在

(a)如果R^S1是X^S-OH，则为0.0005至0.02重量％，优选0.001至0.005重量％，或

(b)如果R^S1是Y^S-(CO)-OH，则为0.1至3重量％，优选0.5至2重量％。

7.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中R^S1是X^S-OH，X^S是C₁至C₈烷二基，优选C₁至C₆烷-1,1-二基。

8.根据权利要求7的组合物，其中第一选择性增强剂是式S2的化合物

其中

R^S11、R^S21独立地选自C₁至C₆烷基，优选选自乙基、丙基、丁基、戊基和己基；

R^S12、R^S22独立地选自H和C₁至C₁₀烷基，优选H、甲基或乙基。