[发明专利]晶片洗涤水供给系统以及晶片洗涤水的供给方法在审
申请号: | 202180063164.7 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN116368600A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 杉田航 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 陈曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 洗涤 供给 系统 以及 方法 | ||
本发明的晶片洗涤水供给系统(1)具有:晶片洗涤水制造部(2),制造药剂浓度的晶片洗涤水;补给管(3),从晶片洗涤水制造部(2)延伸;以及循环式洗涤水供给管(4),与所述补给管(3)连接。循环式洗涤水供给管(4)能够经由输送泵(11)向用水点(5)输送,在洗涤水供给管(4)的供给侧(4A)设置有供给侧流量计(12)。进一步,在循环式洗涤水供给管(4)的回收侧(4B)设置有回收侧流量计(21)。这些供给侧流量计(12)和回收侧流量计(21)的测定结果和通过第二监测器(23)得到的基于各种水质传感器的水质数据被发送至控制装置,通过该控制装置能够对晶片洗涤水制造部(2)进行控制。通过设为这种结构,本发明的晶片洗涤水供给系统(1)的多余水较少、混入溶解气体的可能性低且能够节省空间。
技术领域
本发明涉及在半导体用晶片的洗涤、冲洗工序中有效的能够稳定地供给含有极低浓度的碱、酸、氧化剂、还原剂、各种气体成分等溶质的洗涤水的晶片洗涤水供给系统以及晶片洗涤水的供给方法。
背景技术
在半导体用硅晶片等的洗涤工序中,有时会使用在超纯水中以极低浓度溶解有对控制pH、氧化还原电位有效的溶质的水(以下,称为晶片洗涤水)。该晶片洗涤水以超纯水为基本材料并添加有必要最小限度的酸、碱、氧化剂、还原剂,以具有与洗涤、冲洗工序等各工序的目的匹配的pH、氧化还原电位等液体性质。此时,有效利用H2气溶解水以具有还原性,通常,有效利用通过用泵注入药液或使用非活性气体的加压方式来微量添加(注入)液体的药剂的方法以进行pH调整和赋予氧化性。
在该情况下,如果超纯水的流量固定,则容易注入以达到所需的溶质浓度,实际上,在使用晶片洗涤水的洗涤机中,通过多个阀的开闭对注入晶片的洗涤水的供给和停止进行控制,流量不规则地变动。针对该变动,进行针对超纯水流量的比例控制、接收浓度监测的信号的PID控制等使用各种方法的溶解控制,使得晶片洗涤水的溶质浓度处于所期望的范围。但是,特别是,并不能实现能充分追随具有多个洗涤腔体的枚叶式洗涤机中的不规则流量变动的注入控制。作为其对策,考虑制造假定了最大使用量的晶片洗涤水并供给至洗涤机,但这样会大幅供给过剩量的晶片洗涤水,因此会浪费价格昂贵的晶片洗涤水。
因此,专利文献1提出了以节约晶片洗涤水为目的设置储存槽,并将洗涤机中未使用的晶片洗涤水返回至储存槽并循环的方式的晶片洗涤水供给系统。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-182099号公报。
发明内容
发明要解决的问题
然而,专利文献1记载的晶片洗涤水供给系统由于使用储存槽,因此,不得不将装置大型化,而且,制造的晶片洗涤水与气体的接触时间、制造晶片洗涤水后的滞留时间延长,因而存在晶片洗涤水的溶解气体浓度变高的可能性高的问题。作为其对策,向储存槽吹扫N2气,但不仅装置大型化的问题变得更加明显,还会产生N2气溶解的问题。
如上所述,目前并没有能够控制晶片洗涤水的溶质浓度、多余水较少、混入溶解气体的可能性低且能够节省空间的晶片洗涤水供给系统。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供多余水较少、混入溶解气体的可能性低且能够节省空间的晶片洗涤水供给系统。
用于解决问题的手段
鉴于上述目的,第一,本发明提供一种晶片洗涤水供给系统,其中,具有:晶片洗涤水制造部,通过在超纯水中溶解药剂来制造规定的药剂浓度的晶片洗涤水;循环式洗涤水供给管,将所述晶片洗涤水制造部中制造的晶片洗涤水供给至用水点;补给管,将所述晶片洗涤水制造部与循环式洗涤水供给管连接;测量机构,用于算出流通于所述循环式洗涤水供给管的晶片洗涤水在用水点的洗涤水的使用量;以及控制机构,基于所述测量机构的测定结果,对从所述晶片洗涤水制造部向所述循环式洗涤水供给管补给晶片洗涤水的补给量进行控制(发明1)。
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