[发明专利]光电装置

权利要求书

1.一种光电装置，所述光电装置包括：

光电半导体器件(21)、尤其是LED芯片，具有用于产生光的有源区并且具有光出射面(23)，所产生的光通过所述光出射面从所述半导体器件(21)射出，其中所述光出射面(23)被构造在所述半导体器件(21)的上侧(25)上，

转换器(27)，所述转换器居中地布置在所述光出射面(23)上方，并且被构造用于将所产生的光转换成具有至少一种其他波长的经转换的光，以及

用于将所述转换器固定在所述半导体器件(21)的上侧(25)处的粘合剂(29)，

其特征在于，

投影到所述半导体器件(21)的上侧(25)上的轮廓线(39、45)完全位于所述光出射面(23)内，所述轮廓线在圆周方向(U)上完全环绕所述转换器(27)，和

所述粘合剂(29)布置在所述光出射面(23)和所述转换器(27)之间和/或在圆周方向(U)上围绕所述转换器(27)布置，使得所述粘合剂(29)仅布置在所述光出射面(23)上。

2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，

所述轮廓线(39)对应于所述转换器(27)的下侧(33)的外圆周。

3.根据权利要求1或2的光电装置，其特征在于，

所述光出射面(23)具有在圆周方向上包围所述光出射面的尤其是虚构的外边缘线(53)，并且所投影的轮廓线(39、45)完全位于所述外边缘线(53)内。

4.根据权利要求3所述的光电装置，其特征在于，

所投影的轮廓线(39、45)和所述外边缘线(53)在所述光出射面(23)上构成环绕式的、尤其是虚构的条带(47)，其中所述条带(47)在每个点处具有5μm至50μm的宽度、优选地10μm至25μm的宽度、进一步优选地10μm至15μm的宽度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，

所述光出射面(23)由所述半导体器件(21)的位于所述上侧(25)处的外延层构成，和/或

尤其是包括二氧化钛的白色材料包围所述转化器。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，

至少一个金属区域(49、51)、优选地至少两个金属区域侧向地在所述光出射面(23)旁边被构造在所述半导体器件(21)的上侧(25)处，其中优选地所述金属区域由介电材料遮蔽。

7.根据权利要求6所述的光电装置，其特征在于，

所述粘合剂(29)布置在所述光出射面(23)和所述转换器(27)之间和/或在圆周方向(U)围绕所述转换器(27)布置，使得所述粘合剂(29)不遮蔽、甚至不部分地遮蔽所述至少一个金属区域(49、51)或布置在其上的介电材料。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，

所述转换器(27)具有上部区域(35)和下部区域(37)，所述下部区域(37)比所述上部区域(35)更靠近所述光出射面(23)，并且所述上部区域(35)在平行于所述上侧(25)的平面中来看具有比所述下部区域(35)更大的横截面。

9.根据权利要求8所述的光电装置，其特征在于，

所述轮廓线(39)在圆周方向(U)上围绕所述下部区域(37)伸展，所述轮廓线到所述半导体器件(21)的上侧(25)上的投影完全位于所述光出射面(23)内。

10.根据权利要求8或9所述的光电装置，其特征在于，

投影到所述半导体器件(21)的上侧(25)上的在圆周方向(U)上围绕所述转换器(27)的上部区域(35)环绕的轮廓线完全位于所述下部区域(35)的经投影的轮廓线(45)之外。