[发明专利]最小化热损失并增加均匀性的加热的基板支撑件

权利要求书

1.一种用于在处理腔室中使用的基板支撑件，包含：

加热板，具有支撑基板的上表面和与所述上表面相对的下表面，其中所述加热板包含具有第一导热系数的第一材料，并且其中所述加热板的侧壁和所述加热板的下表面用包含第二材料的覆盖板覆盖，所述第二材料具有小于所述第一导热系数的第二导热系数；

中空轴，耦接至所述加热板，其中所述中空轴包含具有第三导热系数的第三材料，所述第三导热系数小于所述第一导热系数；和

一个或多个加热元件，设置在所述加热板中。

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述中空轴在所述加热板的垂直下方耦接至所述加热板。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述中空轴沿着所述加热板的外周缘耦接至所述加热板。

4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述中空轴具有下部和耦接至所述加热板的上部，其中所述上部从所述下部径向向外延伸，且随后垂直向上延伸至所述加热板。

5.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述中空轴具有下部和耦接至所述加热板的上部，其中所述上部自所述下部径向向外且向上延伸至所述加热板。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第一导热系数大于130瓦/米开尔文(W/(m·K))。

7.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述加热板包括一个或多个升举销开口。

8.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述加热板由氮化铝(AlN)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铍(BeO)、氮化硼(BN)、氮化硅(Si₃N₄)或碳化硅(SiC)制成。

9.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第二材料包含氮化铝(AlN)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铍(BeO)、氮化硼(BN)、氮化硅(Si₃N₄)或碳化硅(SiC)。

10.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第一材料和所述第二材料包含相同的材料。

11.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第一导热系数大于100瓦/米开尔文(W/(m·K))。

12.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第二导热系数和所述第三导热系数小于100瓦/米开尔文(W/(m·K))。

13.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述第二材料是与所述第三材料相同的材料。

14.如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，其中所述加热板由具有所述第一导热系数的氮化铝制成，并且所述盖板由具有所述第二导热系数的氮化铝制成。

15.一种处理腔室，包含：

腔室主体，界定内部空间；和

如权利要求1至5中任一项所述的基板支撑件，设置在所述内部空间中。

16.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述第一导热系数大于100瓦/米开尔文(W/(m·K))。

17.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述第二导热系数和所述第三导热系数小于100瓦/米开尔文(W/(m·K))。